[發明專利]由10-羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑及其制備方法

在審

• 申請號: 202011541809.7
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112631072A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 傅志偉;畢景峰;潘惠英;郭穎;賀寶元
• 申請（專利權）人: 上海博棟化學科技有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明屬于光刻膠技術領域，公開了一種由10?羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑及其制備方法。由10?羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑包括以下結構：R₁為連接基團，R₂為烴基或含氟烴基，P₁、P₂和P₃相互獨立的表示氫或具有1到12個碳原子的任選取代的烷基。其合成步驟為：將10?羥基攀援山橙堿與磺基乙酸鹽化合物在催化劑條件下或與二(三氯甲基)碳酸酯和羥基乙磺類化合物在堿性條件下，反應形成含10?羥基攀援山橙堿結構和磺酸結構的中間體；將所述中間體與鹵化锍反應，攪拌，反應液經純化得到含10?羥基攀援山橙堿結構的锍鎓鹽類光致產酸劑。本發明合成的化合物擴散低且親水親油平衡，且其制備方法簡單。

技術領域

本發明涉及光刻膠技術領域，特別涉及一種由10-羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑及其制備方法。

背景技術

光刻材料(特指光刻膠)，又稱光致抗蝕劑，是光刻技術中涉及的最關鍵的功能性化學材料，主要成分是樹脂、光致產酸劑(photo acid generator，PAG)、以及相應的添加劑和溶劑。

隨著集成電路(integrated circuit，IC)特征尺寸的逐漸減小，酸擴散長度對光刻圖案的影響會越來越顯著，包括遮罩忠實性低落，LWR(線寬粗糙度,Line WidthRoughness)的惡化以及圖案矩形性的劣化等。已經發現PAG陰離子的結構通過影響PAG與其它光刻膠組分之間的相互作用,在光刻膠總體性能中扮演了重要角色。這些相互作用影響到光產生酸的擴散特性。因此制備具有可控制的酸擴散性的光致產酸劑(PAG)是非常重要的。

發明內容

本發明要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種由10-羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑及其制備方法。

為了解決上述技術問題，本發明提供了如下的技術方案：

本發明一種由10-羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑，包括以下結構：

其中R₁為連接基團，R₂為烴基或含氟烴基；P₁、P₂和P₃相互獨立的表示氫或具有1到12個碳原子的任選取代的烷基。

作為本發明的一種優選技術方案，所述R₁為酯基或碳酸酯基。

作為本發明的一種優選技術方案，所述光致產酸劑包括以下結構：

其中，P₁、P₂和P₃相互獨立的表示氫或具有1到12個碳原子的任選取代的烷基。

作為本發明的一種優選技術方案，所述光致產酸劑具體包括以下結構:

由10-羥基攀援山橙堿合成的锍鎓鹽類光致產酸劑的制備方法，合成路線為:

其中，R₁為酯基，R₂為烴基或含氟烴基，P₁、P₂和P₃相互獨立的表示氫或具有1到12個碳原子的任選取代的烷基，M為堿金屬；

包括以下步驟：

S1，將10-羥基攀援山橙堿Ⅰ與磺基乙酸鹽類化合物在催化劑條件下經酯化反應，純化得到含10-羥基攀援山橙堿結構和磺酸結構的中間體Ⅱ；

S2，將所述中間體Ⅱ與鹵化锍反應，攪拌，反應液經純化得到含10-羥基攀援山橙堿結構的锍鎓鹽類光致產酸劑Ⅲ。