[發(fā)明專利]提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011540909.8
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112636557B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉;王雨桐;崔鶴松;黃守道;胡芳
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南大學(xué)
• 主分類號: H02K41/03
• 分類號: H02K41/03;H02K1/27;H02K1/16;H02K3/04
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 周春雨

1.一種提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，通過減小電機(jī)的繞組系數(shù)和降低氣隙磁密的諧波含量來減小電機(jī)的q軸電感，并采用兩側(cè)面為不對稱曲面的梯形調(diào)磁塊來降低所述氣隙磁密的諧波含量，進(jìn)而提高電機(jī)的功率因數(shù)，所述梯形調(diào)磁塊的上邊長為8mm，下邊長為4.6mm，左腰與梯形中位線的交點(diǎn)距離等腰梯形中心的距離為3.1579-4mm，右腰與梯形中位線的交點(diǎn)距離等腰梯形中心的距離為1.5-2mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，將電機(jī)永磁定子的永磁體設(shè)置為Halbach永磁陣列，以使氣隙磁密更接近正弦，從而降低所述氣隙磁密的諧波含量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，將所述Halbach永磁陣列的永磁比設(shè)置為0.5-0.6，所述永磁比為一個法向永磁體長度與永磁體極距的比值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，通過將電機(jī)繞組的槽數(shù)設(shè)置為12槽，將電機(jī)的等效電樞繞組的極對數(shù)設(shè)置為1對、2對或者4對來減小所述繞組系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，通過將永磁體極對數(shù)設(shè)置在14對至17對之間來減小所述繞組系數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，將所述等效電樞繞組的極對數(shù)設(shè)置為2對，所述永磁體極對數(shù)設(shè)置為17對。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，通過采用半口槽形式的繞線槽來降低所述氣隙磁密的諧波含量。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的提高直線磁場調(diào)制電機(jī)功率因數(shù)的方法，其特征在于，所述半口槽的槽口寬度為槽體寬度的83-93%。