[發明專利]硅片背封的制作方法

在審

• 申請號: 202011540641.8
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112670162A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 王柯;程劉鎖;閆玉琴;范曉;王函
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種硅片背封的制作方法。所述硅片背封的制作方法包括以下步驟：確定硅片的110晶向；確定支撐腳支撐所述硅片的支撐方向；根據所述硅片的110晶向，確定所述硅片的(110)晶面；旋轉所述硅片，使得所述支撐腳的支撐方向，偏離所述硅片的(110)晶面和110晶向；在旋轉后的所述硅片背面生長外延層，形成所述硅片背封。本申請提供的硅片背封的制作方法，可以解決相關技術中，在晶片背面制作的背封，其產生的應力增大了晶片的破片概率的問題。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種硅片背封的制作方法。

背景技術

由于CMOS技術和工藝的迅速發展，在圖像傳感器領域里，CIS(CMOS ImageSensor，互補金屬氧化物半導體圖像傳感器)器件，即CMOS圖像傳感器得到了廣泛地應用。CIS器件的像素區包括若干呈陣列排布的光電二極管，主要通過光電二極管實現光電轉換。

相關技術中，為了減小器件出現白色像素的問題，通常會在器件像素區的外延層上表面重摻雜硼離子，此工藝前需要在晶片背面沉淀絕緣薄膜，即硅片，以保護晶片背部。

但是在晶片背面制作的背封，其產生的應力增大了晶片的破片概率，不利于節約芯片制造成本。

發明內容

本申請提供了一種硅片背封的制作方法，可以解決相關技術中，在晶片背面制作的背封，其產生的應力增大了晶片的破片概率的問題。

為了解決上述技術問題，本申請提供一種硅片背封的制作方法，所述硅片背封的制作方法包括以下步驟：

確定硅片的110晶向；

確定支撐腳支撐所述硅片的支撐方向；

根據所述硅片的110晶向，確定所述硅片的(110)晶面；

旋轉所述硅片，使得所述支撐腳的支撐方向，偏離所述硅片的(110)晶面和110晶向；

在旋轉后的所述硅片背面生長外延層，形成所述硅片背封。

可選的，所述確定硅片的110晶向的步驟包括：

確定所述硅片的晶向標志切口指向所表征的晶向；

根據所述晶向標志切口指向所表征的晶向，確定所述硅片的110晶向。

可選的，若所述晶向標志切口指向所表征的晶向，為100晶向；根據所述100晶向，確定所述100晶向任意一側45°位置的晶向為所述硅片的110晶向。

可選的，所述晶向標志切口指向所表征的晶向，為所述硅片的110晶向。

可選的，所述晶向標志切口為平底面切口或者V型切口。

可選的，所述根據所述硅片的110晶向，確定所述硅片的(110)晶面的步驟，包括：

確定垂直于所述硅片的110晶向的晶面為所述硅片的(110)晶面。

可選的，所述旋轉所述硅片，使使得所述支撐腳的支撐方向，偏離所述硅片的(110)晶面和110晶向的步驟，包括：

旋轉所述硅片30°至60°，使得所述支撐腳支撐所述硅片的位置，偏離所述硅片的(110)晶面和110晶向。

本申請技術方案，至少包括如下優點：本申請實施例通過確定硅片的110晶向；確定支撐腳支撐所述硅片的支撐方向；根據所述硅片的110晶向，確定所述硅片的(110)晶面；旋轉所述硅片，使得所述支撐腳的支撐方向，偏離所述硅片的(110)晶面和110晶向；在旋轉后的所述硅片背面生長外延層，形成所述硅片背封。能夠使得支撐腳的支撐方向避開硅片的解理面，從而避免在硅片的背面生長外延層的過程中，因支撐腳支撐硅片解理面，而導致硅片背面外延層生長不均勻，最終導致硅片破片的問題。