[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 202011539908.1 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN113363283A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 崔慶鉉;鄭鎮九;金美海 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,包括:
包括顯示區域和外圍區域的基板;
設置在所述基板上的薄膜晶體管;
電連接到所述薄膜晶體管的第一金屬布線層;
在所述第一金屬布線層上的無機保護層;
位于所述無機保護層上并且在平面圖中與所述第一金屬布線層重疊的圖案化的第一有機膜層;
在所述第一有機膜層上的第二金屬布線層;以及
在所述第二金屬布線層上的第二有機膜層,
其中所述第一有機膜層被圖案化為設置在所述第一金屬布線層與所述第二金屬布線層在所述平面圖中彼此重疊的位置處,而不是設置在所述顯示區域的全部上,并且
所述第二有機膜層設置在所述顯示區域的所述全部上。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述第一金屬布線層包括彼此隔開的多條布線,并且
所述第二有機膜層在所述多條布線之間接觸所述無機保護層的上表面。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第二有機膜層在與所述無機保護層的所述上表面接觸的位置處具有凹陷形狀。
4.根據權利要求1所述的顯示設備,進一步包括:電連接到所述薄膜晶體管的發光器件,
其中所述發光器件包括像素電極、公共電極以及在所述像素電極與所述公共電極之間的、具有發射層的中間層,
所述像素電極位于所述第二有機膜層上,并且
所述第一有機膜層設置在與所述像素電極重疊的位置處。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,進一步包括:位于所述公共電極上并且包括依次堆疊的第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層的封裝層。
6.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述薄膜晶體管包括半導體層和柵電極,
所述第一金屬布線層包括電連接到所述柵電極的掃描線,并且
所述掃描線位于與所述柵電極所在的層不同的層中。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,進一步包括:在所述半導體層與所述柵電極之間的第一絕緣層以及在所述柵電極上的第二絕緣層和層間絕緣層,
其中所述掃描線位于所述層間絕緣層上。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,進一步包括上電極,所述上電極設置在所述第二絕緣層與所述層間絕緣層之間、在所述平面圖中與所述柵電極重疊的位置處。
9.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述第二金屬布線層包括直接位于被所述圖案化的第一有機膜層暴露的所述無機保護層上的布線。
10.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述第二金屬布線層包括數據線和驅動電壓線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





