[發(fā)明專利]一種密閉容器液面高度探測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011539758.4 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN112629623A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權)人: | 西安柯萊特信息科技有限公司 |
| 主分類號: | G01F23/68 | 分類號: | G01F23/68 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710119 陜西省西安市高新區(qū)高*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 密閉 容器 液面 高度 探測 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種密閉容器液面高度探測裝置,所述密閉容器液面高度探測裝置包括:密閉容器、球體、第一接觸片、第二接觸片、導體棒和檢測電路;所述球體設置在所述密閉容器內(nèi),所述第一接觸片、所述第二接觸片、所述導體棒和所述檢測電路設置在所述密閉容器外;所述球體與所述第一接觸片連接;所述導體棒兩端加載有電源;所述第一接觸片連接所述導體棒加載所述電源正極或負極的一端,所述第二接觸片連接所述導體棒加載所述電源另一極的一端;所述第一接觸片和所述第二接觸片還連接所述檢測電路。本發(fā)明根據(jù)第二接觸片上下運動時與第一接觸片是否連通檢測電路來探測球體的高度,即液面高度,結構簡單并且準確度高。
技術領域
本發(fā)明涉及液位探測技術領域,特別是涉及一種密閉容器液面高度探測裝置。
背景技術
目前市面上的液面探測技術主要是電容式和氣壓式。電容式探測是通過吸頭接觸液面后引起的電容值、電容值變化頻率、電容變化斜率等參數(shù)的變化進行液面探測;氣壓式探測是通過吸頭接觸液面后引起的吸頭內(nèi)氣壓值的變化進行液面探測。
但是,上述液面探測技術都需要吸頭接觸液面才進行探測,操作不方便,且受環(huán)境影響較大,容易造成空吸,導致吸液準確性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種密閉容器液面高度探測裝置,以簡化液面高度探測裝置,提高液面高度探測準確度。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下方案:
一種密閉容器液面高度探測裝置,所述密閉容器液面高度探測裝置包括:密閉容器、球體、第一接觸片、第二接觸片、導體棒和檢測電路;
所述球體設置在所述密閉容器內(nèi),所述第一接觸片、所述第二接觸片、所述導體棒和所述檢測電路設置在所述密閉容器外;
所述球體與所述第一接觸片連接;
所述導體棒兩端加載有電源;所述第一接觸片連接所述導體棒加載所述電源正極或負極的一端,所述第二接觸片連接所述導體棒加載所述電源另一極的一端;
所述第一接觸片和所述第二接觸片還連接所述檢測電路。
可選地,所述檢測電路中設置有PN結;所述PN結包括耗盡層和與所述耗盡層兩端分別連接的P端和N端;所述第一接觸片連接所述導體棒加載所述電源正極的一端時,所述第一接觸片連接所述N端,所述第二接觸片連接所述P端;所述第一接觸片連接所述導體棒加載所述電源負極的一端時,所述第一接觸片連接所述P端,所述第二接觸片連接所述N端。
可選地,所述導體棒設置有兩個,兩個所述導體棒平行設置;所述第一接觸片連接其中一個導體棒加載所述電源正極或負極的一端,所述第二接觸片連接另一個導體棒加載所述電源另一極的一端。
可選地,所述導體棒上設置有凹槽,所述凹槽內(nèi)設置有滾珠。
可選地,所述密閉容器液面高度探測裝置還包括:
圓柱體連通器,設置在所述密閉容器內(nèi);所述球體設置在所述圓柱體連通器內(nèi)。
可選地,所述球體表面設置有磁性薄膜,所述圓柱體連通器外壁設置有磁化材料,所述球體通過所述磁性薄膜與所述磁化材料相互吸引設置在所述圓柱體連通器內(nèi);所述球體通過所述磁化材料與所述第一接觸片連接。
可選地,所述導體棒為圓柱體導體棒。
可選地,所述第一接觸片和所述第二接觸片均為圓環(huán)片。
可選地,所述密閉容器液面高度探測裝置還包括:
運行裝置,設置在所述密閉容器外,與所述第二接觸片連接,用于控制所述第二接觸片上下運動。
根據(jù)本發(fā)明提供的具體實施例,本發(fā)明公開了以下技術效果:
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