[發明專利]具有波導模式光耦合增強的綠光OLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011539446.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112467056A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 鄭燕瓊;陳俊聰;李維光;唐杰
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種具有波導模式光耦合增強的綠光OLED器件，其特征在于，包括依次從下到上層疊設置的襯底(1)、陽極(2)、空穴注入層(3)、空穴傳輸層(4)、綠光發光層(5)、電子傳輸層(6)、電子注入層(7)和導電陰極(8)；所述綠光發光層(5)的發光客體材料采用發綠光的熒光、磷光和熱活化延遲熒光材料；所述空穴注入層(3)采用溶劑處理，通過調節溶劑處理時間和空穴注入層(3)的膜厚來控制溶劑氣體分子的刻蝕深度。

2.根據權利要求1所述具有波導模式光耦合增強的綠光OLED器件，其特征在于：空穴注入層(3)采用聚合物材料，包括如下至少一種材料：poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)、poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]、poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine](PTAA)、poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]；

或者，空穴注入層(3)采用小分子材料，包括如下至少一種材料：4,4',4-tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)triphenylamine、4,4',4-tris(N-(naphthalen-2-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamine、copper(II)phthalocyanine(CuPC)、titanium(IV)oxidephthaloc yanine、pyraz ino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile、N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine、N,N'-diphenyl-N,N'-di-[4-(N,N-di-p-tolyl-amino)phenyl]benzidine、N4,N4'-(biphenyl-4,4'-diyl)bis(N4,N4',N4'-triphenylbiphenyl-4,4'-dia mine)、dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexa carbonitrile、diquinoxalino[2,3-a:2',3'-c]phenazine、7,7,8,8-tetracyano quinodimethane、2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane、2,2'-(naphthalene-2,6-diylidene)dimalononitrile；

或者，空穴注入層(3)采用氧化物材料，包括如下至少一種材料：MoO₃、CuO、V₂O₅、NiO₂、WO₃。

3.根據權利要求1所述具有波導模式光耦合增強的綠光OLED器件，其特征在于：所述襯底層(1)的材料為剛性玻璃材料、透明聚合物柔性材料和生物可降解的柔性材料中的至少一種。

4.根據權利要求1所述具有波導模式光耦合增強的綠光OLED器件，其特征在于：所述陽極(2)的材料為ITO、FTO、AZO、IZO、石墨烯、碳納米管、金屬單質、金屬單質納米線、金屬合金納米線、金屬異質結納米線中的至少一種；所述陽極的厚度為80～200nm。