[發明專利]存儲器件和半導體器件

在審

• 申請號: 202011538761.4
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113035867A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 李炅奐;金容錫;金炫哲;山田悟;柳成原;洪載昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 馬曉蒙

本發明涉及存儲器件和半導體器件。存儲器件可以包括源極區域、溝道、柵極絕緣層圖案、選擇柵極圖案、第一柵極圖案、第二柵極圖案和漏極區域。源極區域可以在襯底的上部處包括具有第一導電類型的第一雜質。溝道可以接觸源極區域。每個溝道可以在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸。選擇柵極圖案可以在溝道的側壁上。第一柵極圖案可以在溝道的側壁上。第一柵極圖案可以是所有的多個溝道的公共電極。第二柵極圖案可以在溝道的側壁上。漏極區域可以在每個溝道的上部處包括具有不同于第一導電類型的第二導電類型的第二雜質。

技術領域

示例實施方式總體上涉及存儲器件和制造其的方法。更具體地，示例實施方式涉及垂直溝道存儲器件和制造其的方法。

背景技術

在DRAM(動態隨機存取存儲器)器件中，單位單元可以包括一個晶體管和一個電容器。由于DRAM器件高度集成，因此電容器的存儲容量的限制和單位單元中泄漏電流的增加可能成為問題。因此，不具有電容器的存儲器件可以是有益的。此外，對于存儲器件的高度集成，包括垂直溝道的垂直溝道存儲器件可以是有益的。

發明內容

示例實施方式提供了高度集成的存儲器件。

根據示例實施方式，提供了存儲器件，其可以包括源極區域、溝道、柵極絕緣層圖案、選擇柵極圖案、第一柵極圖案、第二柵極圖案和漏極區域。源極區域可以在襯底的上部處包括具有第一導電類型的第一雜質。溝道可以接觸源極區域。每個溝道可以在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸。所述多個溝道可以包括第一溝道和第二溝道。柵極絕緣層圖案可以圍繞或可以覆蓋第一溝道的一部分。選擇柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。選擇柵極圖案可以在平行于襯底的上表面的第一方向上延伸。第一柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。第二柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。第二柵極圖案可以平行于選擇柵極圖案的上表面延伸。漏極區域可以在第一溝道的上部處包括具有不同于第一導電類型的第二導電類型的第二雜質。選擇柵極圖案、第一柵極圖案和第二柵極圖案可以在垂直方向上彼此間隔開。源極區域和第一柵極圖案中的至少一個可以具有板形狀，并且可以是第一溝道和第二溝道的公共電極。

根據示例實施方式，提供了存儲器件，其可以包括源極區域、溝道、柵極絕緣層圖案、選擇柵極圖案、第一柵極圖案、第二柵極圖案、漏極區域和位線。源極區域可以在襯底的上部處包括具有第一導電類型的第一雜質。溝道可以接觸源極區域。每個溝道可以在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸。溝道可以在平行于襯底的上表面并且彼此垂直的第一方向和第二方向上布置。柵極絕緣層圖案可以圍繞溝道。選擇柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。選擇柵極圖案可以圍繞在第一方向上布置的溝道，并且可以在第一方向上延伸。溝道可以包括第一溝道、在第一方向上與第一溝道間隔開的第二溝道以及在第二方向上與第一溝道間隔開的第三溝道。第一柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。第二柵極圖案可以在柵極絕緣層圖案上。第二柵極圖案可以圍繞第一溝道和第二溝道，或者可以覆蓋第一溝道和第二溝道中的每個的一部分，并且可以在第一方向上延伸。漏極區域可以在第一溝道的上部處包括具有不同于第一導電類型的第二導電類型的第二雜質。位線可以電連接到漏極區域。位線可以在第二方向上延伸。選擇柵極圖案、第一柵極圖案和第二柵極圖案可以在垂直方向上彼此間隔開。第一柵極圖案可以圍繞第一溝道、第二溝道和第三溝道，或者可以覆蓋第一溝道的所述部分和第二溝道的所述部分以及第三溝道的一部分，并且第一柵極圖案可以用作第一溝道、第二溝道和第三溝道的公共柵極。

根據示例實施方式，提供了存儲器件，其可以包括源極區域、溝道、柵極絕緣層圖案、選擇柵極圖案、第一柵極圖案、第二柵極圖案和漏極區域。源極區域可以在襯底的上部處包括具有第一導電類型的第一雜質。溝道可以接觸源極區域。每個溝道可以在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸。選擇柵極圖案可以分別在溝道的側壁上。第一柵極圖案可以在溝道的側壁上。第一柵極圖案可以是公共電極。第二柵極圖案可以分別在溝道的側壁上。漏極區域可以在溝道的各自的上部處包括具有不同于第一導電類型的第二導電類型的第二雜質。