[發明專利]可抑制橫向模式的聲表面波諧振器及其制造方法有效

申請號：	202011536833.1	申請日：	2020-12-23
公開（公告）號：	CN112886938B	公開（公告）日：	2022-04-26
發明（設計）人：	鄭根林;張樹民	申請（專利權）人：	杭州左藍微電子技術有限公司
主分類號：	H03H9/17	分類號：	H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02
代理公司：	杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 33217	代理人：	項軍
地址：	310000 浙江省杭州市***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	可抑制橫向模式表面波諧振器及其制造方法
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【說明書】：

本發明公開了可抑制橫向模式的聲表面波諧振器，包括壓電基板以及位于所述壓電基板表面上的叉指換能器，所述叉指換能器的中心區域和兩側匯流區域之間的至少部分區域分別覆蓋有第一溫度補償層，所述叉指換能器在兩側的所述第一溫度補償層外側的部分上以及兩側的所述第一溫度補償層之間覆蓋有第二溫度補償層；所述第一溫度補償層的聲速比第二溫度補償層低。本發明還公開了可抑制橫向模式的聲表面波諧振器的制作方法。

技術領域

本發明屬于聲表面波技術領域，具體涉及一種可抑制橫向模式的聲表面波諧振器及其制造方法。

背景技術

SAW(surface acoustic wave)又稱為聲表面波，是在壓電基片材料表面產生并傳播，且振幅隨著深入基片材料的深度增加而迅速減少的一種彈性波。SAW諧振器的基本結構是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作的叉指換能器(Interdigital Transducer，IDT)。但發明人認為SAW相關技術中存在不足，聲表面波諧振器中存在強烈的橫向模式，反應在器件性能上，會使通帶間出現劇烈的波動，對器件的性能造成不利影響。

發明內容

針對現有技術中所存在的不足，本發明提供了一種可抑制橫向模式的聲表面波諧振器及其制造方法。

可抑制橫向模式的聲表面波諧振器，包括壓電基板以及位于所述壓電基板表面上的叉指換能器，所述叉指換能器的中心區域和兩側匯流區域之間的至少部分區域分別覆蓋有第一溫度補償層，所述叉指換能器在兩側的所述第一溫度補償層外側的部分上以及兩側的所述第一溫度補償層之間覆蓋有第二溫度補償層；所述第一溫度補償層的聲速比第二溫度補償層低。

一種實施例中，所述第二溫度補償層包括聲速不同的外側補償層和內側補償層，所述外側補償層位于所述第一溫度補償層外側，所述內側補償層位于所述第一溫度補償層之間。

可抑制橫向模式的聲表面波諧振器的制造方法，包括：

提供壓電基板，并在所述壓電基板上制作叉指換能器；

在所述叉指換能器上設置第一覆蓋層；

將所述第一覆蓋層制作成第一溫度補償層，所述第一溫度補償層位于中心區域和兩側匯流區域之間；

在所述叉指換能器和第一溫度補償層上設置第二覆蓋層；

制作第二溫度補償層；所述第二溫度補償層至少覆蓋所述叉指換能器上未被所述第一溫度補償層覆蓋的區域。

一種實施例中，所述制作第二溫度補償層，包括：

將所述第二覆蓋層制作成外側補償層/內側補償層；

設置第三覆蓋層；

將所述第三覆蓋層制作成內側補償層/外側補償層；所述外側補償層和內側補償層的聲速不同。

一種實施例中，所述第一溫度補償層位于邊緣區域和/或間隙區域。