[發(fā)明專利]一種高集成IPM封裝結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011535538.4
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112599517A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 戴志展;李申祥;王宇航
• 申請（專利權）人: 嘉興斯達半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/48;H01L23/12;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳琦;陳繼亮

1.一種高集成IPM封裝結構，包括芯片載體及固定在芯片載體頂部的IPM模塊，且所述芯片載體及IPM模塊的外表面包覆有用于封裝的塑封外殼，其特征在于：所述芯片載體為絕緣墊片，所述IPM模塊由三個結構相同的IPM單元組合而成以形成三相的逆變輸出；所述IPM單元包括分別設置在絕緣墊片兩側的上管功率臂單元和下管功率臂單元，上管功率臂單元與下管功率臂單元之間通過銅橋連接，所述上管功率臂單元包括上管IGBT芯片、FWD芯片、高壓驅動芯片及設置在各芯片間起連接作用的銅橋，所述上管IGBT芯片通過銅橋設置在所述絕緣墊片的上表面，所述FWD芯片通過銅橋堆疊設置在上管IGBT芯片遠離絕緣墊片的一側，所述高壓驅動芯片設置在銅橋上并通過金線連接該銅橋以及上管IGBT芯片的柵極以與銅橋的連通并控制上管IGBT芯片的開斷；所述上管功率臂單元一側的銅橋延伸至塑封外殼外以作為輸入端。

2.根據(jù)權利要求1所述的高集成IPM封裝結構，其特征在于：所述下管功率臂單元包括下管IGBT芯片、FWD芯片、低壓驅動芯片及設置在各芯片間起連接作用的銅橋，所述下管IGBT芯片通過銅橋設置在所述絕緣墊片的上表面，所述FWD芯片通過銅橋堆疊設置在下管IGBT芯片遠離絕緣墊片的一側，所述低壓驅動芯片設置在銅橋上并通過金線連接該銅橋以及下管IGBT芯片的柵極以與銅橋的連通并控制下管IGBT芯片的開斷；所述下管功率臂單元一側的銅橋延伸至塑封外殼外以作為輸出端。

3.根據(jù)權利要求2所述的高集成IPM封裝結構，其特征在于：所述絕緣墊片的底部設置有用于提升封裝結構散熱效果的散熱銅片。

4.根據(jù)權利要求3所述的高集成IPM封裝結構，其特征在于：所述塑封外殼通過注入封裝樹脂的方式對芯片載體及IPM模塊進行封裝，且塑封外殼的高度不低于所述芯片的頂部。