[發明專利]一種帶記憶功能的防電源抖動電路

在審

• 申請號: 202011534890.6
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112653432A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 付春國;饒忠;朱興雙
• 申請（專利權）人: 上海裕芯電子科技有限公司
• 主分類號: H03K5/1254
• 分類號: H03K5/1254
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 陶金龍;陳慧弘

1.一種帶記憶功能的防電源抖動電路，其特征在于，包括：邏輯鎖存電路、時鐘電路和內部電源模塊；所述內部電源模塊的輸入端接電源VDD，其輸出端接所述邏輯鎖存電路的供電端；所述邏輯鎖存電路在所述時鐘電路的控制下進行數據的輸入和輸出；

其中，當電源VDD掉電電源電壓低于一預定閾值時，所述內部電源模塊輸出所述邏輯鎖存電路的供電端V端所需的電源，將所述電源VDD掉電后的一個時期內進入所述邏輯鎖存電路的數據鎖存。

2.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，所述內部電源模塊電路包括一個P型MOS管和電容C；所述P型MOS管的漏極外接電源VDD，所述P型MOS管的源極和柵極短接一起與所述電容C的一端連接，所述電容C的另一端接地，所述P型MOS管的柵極接地。

3.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，所述內部電源模塊電路包括P型MOS管和電容C；所述P型MOS管的漏極外接電源VDD，所述P型MOS管的源極和柵極短接一起與所述電容C的一端連接，所述電容C的另一端接地，所述P型MOS管的柵極接一個分壓電壓。

4.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，所述內部電源模塊電路包括P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3和一個電容C；所述P型MOS管MP1的漏極外接電源VDD，所述P型MOS管MP1的源極和柵極短接一起與所述電容C的一端連接，所述電容C的另一端接地，所述P型MOS管MP2的漏極接所述P型MOS管MP3的源極，所述P型MOS管MP3的漏極連接地端；所述P型MOS管MP2的源極接V端。

5.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，所述邏輯鎖存模塊包括RS觸發器、D觸發器、鎖存器和/或RAM。

6.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，所述時鐘電路包括一個與非門或一個或非門，用于在低壓狀態下或上電一段時間內阻止時鐘CLK信號變化。

7.根據權利要求1所述的帶記憶功能的防電源抖動電路；其特征在于，還包括解鎖定電路，所述解鎖定電路包括防抖檢測單元、上升沿檢測單元、鎖存單元、導向器和或非門，用于在低壓狀態下或上電一段時間內阻止所述邏輯鎖存電路復位，并確保所述邏輯鎖存模塊在正常工作時，輸出復位信號。