[發(fā)明專利]一種汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜及其應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011534588.0 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN112853280A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭巖;宋玉;楊文濤;徐勃;沈城;聶海軍;田樹高;祖平文 | 申請(專利權(quán))人: | 華電電力科學(xué)研究院有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司: | 杭州天欣專利事務(wù)所(普通合伙) 33209 | 代理人: | 張狄峰 |
| 地址: | 310030 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 汽輪機 葉片 tisi 納米 復(fù)合 多層 耐水 薄膜 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜,其特征在于,包括依次沉積于汽輪機葉片表面的金屬Cr底層、TiSi過渡層、TiSiN耐氧化過渡層及TiCrSiCN耐水蝕薄膜層;所述TiCrSiCN耐水蝕薄膜層為Ti(CN)和CrN納米晶與Si3N4和C非晶相的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜,其特征在于,所述TiSi過渡層由Ti元素及Si元素組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜,其特征在于,所述TiSiN耐氧化過渡層由Ti元素、Si元素及N元素組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜,其特征在于,所述TiCrSiCN耐水蝕薄膜層由Ti元素、Si元素、Cr元素、C元素及N元素組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜,其特征在于,金屬Cr底層的厚度為0.3μm,TiSi過渡層的厚度為0.5μm,TiSiN耐氧化過渡層的厚度為2μm,TiCrSiCN耐水蝕薄膜層的厚度為10μm。
6.一種如權(quán)利要求1~5中任一項所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜的應(yīng)用,其特征在于,過程如下:清洗汽輪機葉片的表面,再將汽輪機葉片放置到真空腔室內(nèi)的旋轉(zhuǎn)裝置上進行旋轉(zhuǎn),并進行等離子體清洗,然后再在汽輪機葉片表面采用多弧離子鍍物理氣相沉積法,依次沉積金屬Cr底層、TiSi過渡層、TiSiN耐氧化過渡層及TiCrSiCN耐水蝕薄膜層,完成汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜制備。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜的應(yīng)用,其特征在于,采用多弧離子鍍物理氣相沉積方法沉積金屬Cr底層的過程中,向真空腔室內(nèi)通入流量為300sccm、氣壓為1.6Pa的Ar氣,沉積溫度為300℃,沉積過程中以Cr作為沉積靶材,弧電流為56A,偏置電壓為16V。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜的應(yīng)用,其特征在于,采用多弧離子鍍物理氣相沉積方法沉積TiSi過渡層的過程中,向真空腔室內(nèi)通入流量為300sccm、氣壓為1.6Pa的Ar氣,沉積溫度為300℃,沉積過程中以TiSi作為沉積靶材,弧電流為62A,偏置電壓為17V。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜的應(yīng)用,其特征在于,采用多弧離子鍍物理氣相沉積方法沉積TiSiN耐氧化過渡層的過程中,向真空腔室內(nèi)通入N2氣和Ar氣的混合氣體,其中,N2氣的流量為380sccm,Ar氣的流量為200sccm,混合氣體的氣壓為1.6Pa,沉積溫度為300℃,沉積過程中以TiSi合金作為沉積靶材,弧電流為68A,偏置電壓18V。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的汽輪機葉片的TiSi基納米復(fù)合多層耐水蝕薄膜的應(yīng)用,其特征在于,采用多弧離子鍍物理氣相沉積方法沉積TiCrSiCN耐水蝕薄膜層的過程中,向真空腔室內(nèi)通入N2氣、Ar氣和CH4氣的混合氣體,其中,N2氣的流量、Ar氣的流量和CH4氣的流量分別為500sccm、100sccm及200sccm,混合氣體的氣壓為1.1Pa,沉積溫度為300℃,沉積過程中以TiSi合金作為沉積靶材,弧電流為74A,偏置電壓為19V;Cr作為沉積靶材,弧電流為70A,偏置電壓為19V。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





