[發明專利]透明顯示裝置在審
| 申請號: | 202011534562.6 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN113130575A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 金義泰;金昌秀;申起燮;李昭易 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮;黃綸偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 顯示裝置 | ||
1.一種透明顯示裝置,該透明顯示裝置包括:
基板,所述基板設置有包括透射區域和非透射區域的顯示區域以及圍繞所述顯示區域的非顯示區域,在所述顯示區域中設置有多個子像素;
至少一個無機絕緣膜,所述至少一個無機絕緣膜設置在所述基板上方;
至少一個有機絕緣膜,所述至少一個有機絕緣膜設置在所述至少一個無機絕緣膜上方;
陽極電極,所述陽極電極在所述至少一個有機絕緣膜上方設置在所述多個子像素中的每一個中;
堤部,所述堤部設置在所述陽極電極之間;
發光層,所述發光層設置在所述陽極電極上方;以及
陰極電極,所述陰極電極設置在所述發光層上方,
其中,所述至少一個無機絕緣膜、所述至少一個有機絕緣膜和所述堤部僅設置在所述非透射區域中。
2.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,其中,所述至少一個無機絕緣膜和所述至少一個有機絕緣膜包括與所述透射區域交疊的開口區域。
3.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,其中,所述堤部覆蓋所述至少一個無機絕緣膜的從開口區域暴露的側部和所述至少一個有機絕緣膜的從所述開口區域暴露的側部。
4.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,其中,所述堤部包括吸收光的材料。
5.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,該透明顯示裝置還包括:
封裝膜,所述封裝膜設置在所述陰極電極上方并且設置有至少一個無機膜和至少一個有機膜;以及
濾色器,所述濾色器設置在所述封裝膜上,
其中,所述透射區域與所述濾色器的端部之間的距離比所述透射區域與所述堤部的端部之間的距離長。
6.根據權利要求5所述的透明顯示裝置,其中,所述濾色器鄰接所述封裝膜的上表面。
7.根據權利要求5所述的透明顯示裝置,該透明顯示裝置還包括階梯差補償膜,所述階梯差補償膜設置在所述封裝膜和所述陰極電極之間。
8.根據權利要求7所述的透明顯示裝置,其中,所述封裝膜包括第一無機膜、設置在所述第一無機膜上方的有機膜以及設置在所述有機膜上方的第二無機膜,并且所述第一無機膜與所述階梯差補償膜鄰接。
9.根據權利要求7所述的透明顯示裝置,其中,所述階梯差補償膜設置在所述透射區域中,并且暴露所述陰極電極的設置在所述非透射區域中的至少一部分。
10.根據權利要求9所述的透明顯示裝置,其中,所述階梯差補償膜的上部高度與所述至少一個有機絕緣膜的上部高度相對應。
11.根據權利要求7所述的透明顯示裝置,其中,所述階梯差補償膜由與所述至少一個有機絕緣膜的材料不同的材料制成,
其中,所述階梯差補償膜由透明聚酰亞胺制成。
12.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,其中,所述至少一個無機絕緣膜是折射率大于1.8的高折射率膜。
13.根據權利要求1所述的透明顯示裝置,其中,所述非透射區域包括:
多條公共電源線,所述多條公共電源線設置在所述基板上方并且在第一方向上從所述顯示區域延伸;以及
多條像素電源線,所述多條像素電源線設置在所述基板上方并且在所述第一方向上從所述顯示區域延伸,
其中,所述多條公共電源線和所述多條像素電源線交替設置,并且
其中,所述透射區域設置在所述公共電源線和所述像素電源線之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011534562.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





