[發明專利]像素偏振片陣列、探測器件及紅外偏振探測器

在審

• 申請號: 202011534038.9
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112731579A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 趙旸;張鵬;侯虎旺;張輝
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G01J5/08;G01J4/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 鄢功軍

1.一種像素偏振片陣列，具有吸光功能和偏振功能，作為像素結構中的吸光層和偏振層，其特征在于，包括多個偏振吸光單元，每個所述偏振吸光單元包括四個偏振吸光片，四個所述偏振吸光片兩兩對齊呈2*2陣列排布，每個所述偏振吸光片的材料為順排碳納米管薄膜，每個所述偏振吸光單元內相鄰的兩個所述偏振吸光片的順排碳納米管的管軸方向不同，其中，所述像素偏振片陣列設置在像素結構的上層，用于對光波的偏振和吸收。

2.根據權利要求1所述的像素偏振片陣列，其特征在于，每個所述偏振片吸光單元內相對的兩個所述偏振吸光片的順排碳納米管的管軸方向垂直。

3.根據權利要求2所述的像素偏振片陣列，其特征在于，所述偏振吸光單元的四個偏振吸光片的順排碳納米管的方向分別為0°、45°、90°和135°。

4.根據權利要求1至3任一所述的像素偏振片陣列，其特征在于，所述順排碳納米管薄膜為一維管狀碳納米管，所述一維管狀碳納米管并行排列，所述一維管狀碳納米管排列組成的各向異性的二維材料。

5.根據權利要求4所述的像素偏振片陣列，其特征在于，所述一維管狀碳納米管的直徑為1nm～50nm。

6.根據權利要求1至3任一所述的像素偏振片陣列，其特征在于，所述偏振吸光片的尺寸與所述像素結構的像元的尺寸相當。

7.根據權利要求1至3任一所述的像素偏振片陣列，其特征在于，所述偏振吸光片的形狀與所述像素結構的像元的形狀一致，且上下對齊設置。

8.一種像素偏振片陣列探測器件，其特征在于，包括如權利要求1至7任一所述的像素偏振片陣列。

9.一種紅外偏振探測器，其特征在于，包括如權利要求1至7任一所述的像素偏振片陣列。