[發明專利]利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路

在審

• 申請號: 202011534002.0
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112701669A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 寧靜怡;王瑛;王宗民;周亮;彭領;孔瀛;董海;高鵬;周碩
• 申請（專利權）人: 北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H05F3/02
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 程何

1.利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：包括若干ESD防護器件；

第一ESD防護器件與第二ESD防護器件串聯連接，構成第一通路；第一ESD防護器件與第二ESD防護器件之間設有第一端口；

第三ESD防護器件為第二通路，并作為公共放電通路；

第四ESD防護器件與第五ESD防護器件串聯連接，構成第三通路；第四ESD防護器件與第五ESD防護器件之間設有第二端口；

所述第一通路、第二通路和第三通路的一端均與虛擬公共端連接，另一端均連接第四端口；

第六ESD防護器件與第七ESD防護器件串聯連接，構成第四通路；第六ESD防護器件與第七ESD防護器件之間設有第三端口；

第八ESD防護器件為第五通路；

第四通路與第五通路的一端均連接電源，另一端均連接第四端口。

2.根據權利要求1所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：所述ESD防護器件為二極管。

3.根據權利要求2所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：所述第一通路和第三通路中，第一個二極管的正端連接第二個二極管的負端，第一個二極管的負端連接虛擬公共端，第二個二極管的正端連接第四端口；第二通路中，二極管的正端連接第四端口，負端連接虛擬公共端；第四通路中，第一個二極管的正端連接第二個二極管的負端，第一個二極管的負端連接電源，第二個二極管的正端連接第四端口；第五通路中的二極管正端連接第四端口，負端連接電源。

4.根據權利要求3所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：第一通路、第三通路、第四通路和第五通路中的二極管根據各自連接端口工作電壓設置若干個，兩兩二極管之間均串聯連接。

5.根據權利要求1所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：所述ESD防護器件為MOS管。

6.根據權利要求5所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：第一PMOS管和第四PMOS管的柵極和源級連接虛擬公共端，漏極分別連接第二NMOS管和第五NMOS管的漏極，第二NMOS管和第五NMOS管的柵極和源級連接第四端口；第三NMOS管的漏極連接公共放電通路，柵極和源級連接第四端口；第六PMOS管的柵極和源級以及第八NMOS管的漏極連接電源，第六PMOS管的漏極連接第七NMOS管的漏極，第七NMOS管和第八NMOS管的柵極和源級連接第四端口。

7.根據權利要求1所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：所述ESD防護器件為PNP三極管。

8.根據權利要求7所述的利用公共放電通路提高抗靜電網絡電荷泄放能力的電路，其特征在于：第一三級管和第四三級管的基極和集電極連接虛擬公共端，發射極分別連接第二三級管和第五三級管的基極和集電極，第二三級管和第五三級管的發射極連接第四端口；第三三級管的基極和集電極連接虛擬公共端，發射極連接第四端口；第六三級管以及第八三級管的的基極和集電極連接電源，第六三級管的發射極連接第七三級管的基極和集電極，第七三級管和第八三級管的發射極連接第四端口。