[發明專利]基于脈沖控制的混沌產生方法有效
| 申請號: | 202011531488.2 | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112702156B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 任海鵬;田坤;李潔 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H04L9/00 | 分類號: | H04L9/00 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 戴媛 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 脈沖 控制 混沌 產生 方法 | ||
1.一種基于脈沖控制的混沌產生方法,其特征在于,按照以下步驟實施:
步驟1:構建受控非線性系統的模型,
設定受控非線性系統的動力學方程如下式(1):
其中,x∈Rn為受控非線性系統狀態,f∈Rn→Rn為實數集合中的非線性光滑連續函數,x0為受控非線性系統在t0時刻初值;受控非線性系統沒有施加控制時,即u=0,處于非混沌狀態;
步驟2:建立單變量脈沖控制器,
構建的單變量脈沖控制器如下式(2)所示:
其中,u∈Rn為式(1)的控制量,此處設計為脈沖控制,脈沖控制增益矩陣K=diag(0,...,ki,...,0),脈沖控制增益矩陣只有一個非零元素ki的n×n維對角矩陣,即實現對單個狀態的脈沖控制,脈沖控制的施加時間tk滿足0<t0<t1<t2<...和表示在脈沖時刻tk的左極限,tk=tk-1+δ,k=1,2,…為脈沖序號,δ為脈沖間隔,
綜合步驟1和步驟2,將含有脈沖控制的式(1)轉換為:
步驟3:根據混沌參數分岔圖確定單變量脈沖控制器的參數ki和δ,
以單變量脈沖控制器的脈沖間隔δ和狀態反饋脈沖增益ki為分析對象,畫出受控動力學系統的參數分岔圖,利用參數分岔圖得到對應混沌的參數范圍,選擇使受控非線性系統的式(1)產生混沌的脈沖控制器參數;
步驟4:對選定控制參數下受控非線性系統的狀態進行分析,驗證混沌特性,若不滿足混沌特性,回到步驟3,在混沌參數區重新選擇脈沖控制參數;否則,結束全部步驟即成。
2.根據權利要求1所述的基于脈沖控制的混沌產生方法,其特征在于:所述的步驟2中,考慮沒有施加控制的Chen系統的動力學方程為:
當Chen系統的參數為a=35,b=3,c=18.5時,則說明Chen系統處于非混沌運動狀態;
當Chen系統的初值為x0=[0,1,0]時,此時Chen系統穩定到穩定平衡點,處于非混沌狀態;
Chen系統的參數取值為a=35,b=3,c=18.5時,則對應Chen系統電路實現的電子元件取值分別是:R1,R2,R3,R4,R6,R7,R13,R14,R15,R17,R18,R19,R21,R23的阻值均為10kΩ;R5的阻值為2.86MΩ;R8的阻值為3kΩ;R9的阻值為18.5kΩ;R10的阻值為16.5kΩ;R11,R22的阻值為1kΩ;R12的阻值為60kΩ;R16的阻值為20kΩ;R20的阻值為3.33MΩ;R24的阻值為1765Ω;R25的阻值為10MΩ;C1,C2,C3的容值均為10pF;
根據原理圖,Chen系統的參數與電路元件的參數對應關系如下:
據此,根據對應關系選擇電路參數,使得實現電路的微分方程描述與Chen系統相同。
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