[發明專利]掩膜板和修正套刻精度的方法

在審

• 申請號: 202011531196.9
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112631069A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 陶文杰;尹聰;丁凱;游凱;張鵬真
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F1/44;G03F7/20
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

1.一種掩膜板，包括相互分離的第一圖形區域和/或第二圖形區域，其特征在于，所述第一圖形區域和所述第二圖形區域均包括曝光圖形，所述曝光圖形包括：

多個曝光單元組，各所述曝光單元組包括多個曝光單元，各所述曝光單元組的曝光單元以相同的對稱中心呈中心對稱設置；

平移至相同對稱中心的所述第一圖形區域的曝光圖形和所述第二圖形區域的曝光圖形無重疊。

2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一圖形區域的曝光圖形或所述第二圖形區域的曝光圖形中，所述曝光單元分別沿第一方向和第二方向分布成多行和多列，位于不同曝光單元組中的所述曝光單元分別位于不同的行中和不同列中。

3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一圖形區域的曝光圖形或所述第二圖形區域的曝光圖形中，定義所述第一方向為Y軸方向，所述第二方向為X軸，所述曝光單元位于由X軸和Y軸分隔成的四個象限中，每一列所述曝光單元沿Y軸方向分布，位于各象限中的所述曝光單元的數量相同。

4.根據權利要求3所述的掩膜板，其特征在于，在所述第一圖形區域或所述第二圖形區域中，各所述曝光單元包括沿X軸方向排列的多個或沿Y軸方向排列的多個曝光區域。

5.根據權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，位于同一象限中各所述曝光單元中的所述曝光區域具有相同的排列方向，且位于不同象限中各所述曝光單元中的所述曝光區域具有不同的排列方向。

6.根據權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，各所述曝光單元中相鄰所述曝光區域的間距相等。

7.根據權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，相鄰各曝光單元中所述曝光區域的最小間距為H₁，所述曝光區域的寬度與所述H₁之比為1～4：1。

8.一種套刻精度的量測方法，其特征在于，包括：

采用權利要求1至7中任一項所述的掩膜板在基底的參考層上形成多個第一對準標記圖形，并在基底的當前層上形成多個第二對準標記圖形，所述掩膜板中的第一圖形區域用于形成所述第一對準標記圖形，所述掩膜板中的第二圖形區域用于形成所述第二對準標記圖形；

將所述第一對準標記圖形分為與所述第一圖形區域中曝光單元組一一對應的多組第一對準標記單元，將所述第二對準標記圖形分為與所述第二圖形區域中曝光單元組一一對應的多組第二對準標記單元，所述第一對準標記單元和所述第二對準標記單元的數量相等，各組所述第一對準標記單元以第一中心點為對稱中心呈中心對稱，各組所述第二對準標記單元以第二中心點為對稱中心呈中心對稱；

將任意一組或多組所述第一對準標記單元的所述第一中心點在所述基底上的位置記為第一位置，將任意一組或多組所述第二對準標記單元的所述第二中心點在所述基底上的位置記為第二位置，利用所述第一位置和所述第二位置的距離計算套刻誤差。

9.根據權利要求8所述的量測方法，其特征在于，相鄰各組所述第一對準標記圖形的間距、相鄰各組所述第二對準標記圖形的間距以及相鄰所述第一對準標記圖形與所述第二對準標記圖形的間距相等。

10.根據權利要求8或9所述的量測方法，其特征在于，所述第一對準標記圖形與所述第二對準標記圖形為尺寸相同的矩形。

11.根據權利要求8所述的量測方法，其特征在于，所述第一對準標記圖形在所述基底上具有第一投影圖形，所述第二對準標記圖形在所述基底上具有第二投影圖形，定義所述第一投影圖形和所述第二投影圖形位于由X軸和Y軸分隔成的四個象限中，位于同一象限中的所述第一投影圖形和所述第二投影圖形成矩陣分布，且位于同一象限中的所述第一投影圖形與所述第二投影圖形成軸對稱設置或中心對稱設置。