[發明專利]金屬件表面氧化膜的制備方法及金屬件表面氧化膜

在審

• 申請號: 202011530845.3
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN114657619A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 汪本成;謝剛群;吳泰緯;陳開;朱從金
• 申請（專利權）人: 富聯裕展科技（深圳）有限公司
• 主分類號: C25D11/02
• 分類號: C25D11/02;C25D5/18
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 龔慧惠

1.一種金屬件表面氧化膜的制備方法，包括：

將金屬件放入電解槽的電解液中，所述金屬件作為陽極；陰極板作為陰極；

施加電壓進行微弧氧化，調節電流密度先升高至峰值后，再將所述電流密度從所述峰值下降至截止值，以在所述金屬件的表面形成氧化膜；

其中，所述電流密度的峰值范圍為3A/dm²-3.5A/dm²。

2.如權利要求1所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，在所述施加電壓進行微弧氧化的步驟中，所述電流密度從零升高到峰值的升高時間范圍為10min-15min。

3.如權利要求1所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，在所述施加電壓進行微弧氧化的步驟中，在所述電流密度從零升高到峰值的過程中，所述電流密度的升高速率的值呈恒定值、遞增、遞減、先增大后減小、先減小后增大中的至少一種方式。

4.如權利要求3所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述電流密度的升高速率的變化次數小于等于三次。

5.如權利要求3所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述電流密度的升高速率的值呈遞減方式，所述電流密度的升高速率包括第一升高速率和第二升高速率，所述第一升高速率大于所述第二升高速率，所述電流密度先以所述第一升高速率增加，再以所述第二升高速率增加。

6.如權利要求1所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，在所述施加電壓進行微弧氧化的步驟中，所述電流密度從所述峰值下降至所述截止值的過程中包括所述電流密度保持不變的平穩期。

7.如權利要求6所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述電流密度的平穩期包括第一平穩期和第二平穩期，所述電流密度先下降至所述第一平穩期，再下降到所述第二平穩期。

8.如權利要求6所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述電流密度的平穩期的時間占所述電流密度下降過程的總時間的比大于等于50％。

9.如權利要求1所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述電流密度的截止值的范圍為1A/dm²-1.5A/dm²。

10.如權利要求1所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，將所述金屬件放入電解槽的電解液中的步驟中，所述電解液包括5g/L-10g/L的主成膜劑、5g/L-10g/L的輔成膜劑和1g/L-5g/L的添加劑。

11.如權利要求10所述的金屬件表面氧化膜的制備方法，其中，所述主成膜劑包括硅酸鈉，所述輔成膜劑包括氫氧化鈉，所述添加劑包括硼砂、檸檬酸鈉、植酸鈉和甘油中的至少一種。

12.一種金屬件表面氧化膜，包括：金屬基體和位于所述金屬基體表面的氧化膜，所述氧化膜的孔隙率為10％-30％。

13.如權利要求12所述的金屬件表面氧化膜，其中，所述氧化膜的厚度為5μm-20μm。