[發明專利]開放腔橋功率遞送架構和工藝

在審

• 申請號: 202011528760.1
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN113451288A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: O·卡拉德;M·莫迪;S·阿格拉哈拉姆;N·德什潘德;D·勞拉內
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李嘯;姜冰

本文公開的實施例包括具有開放腔橋的多管芯封裝。在示例中，電子設備包括具有交替的金屬化層和電介質層的封裝襯底。封裝襯底包括第一多個襯底焊盤和第二多個襯底焊盤以及開放腔。橋管芯在開放腔中，該橋管芯包括第一多個橋焊盤、第二多個橋焊盤、第一多個橋焊盤與第二多個橋焊盤之間的功率遞送橋焊盤，以及導電跡線。第一管芯耦合到第一多個襯底焊盤和第一多個橋焊盤。第二管芯耦合到第二多個襯底焊盤和第二多個橋焊盤。功率遞送導電線耦合到功率遞送橋焊盤。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體裝置，并且更特別地涉及具有開放腔橋（open cavitybridge）的多管芯封裝。

背景技術

對于針對高性能的增加的集成度（level of integration）和形狀因子的小型化（miniaturization）的需要正在驅動半導體工業中的復雜封裝方法。一種此類方法是要使用管芯分區來使能高性能和小形狀因子的小型化。此類架構取決于精細的管芯到管芯互連來將分區的管芯耦合在一起。嵌入式多管芯互連橋（EMIB）已經被用于提供精細的管芯到管芯互連。然而，EMIB還具有其自身的集成挑戰。

一個挑戰是EMIB遭受高累積凸塊（bump）厚度變化（BTV）。隨著更多的EMIB被包括在封裝中以及隨著EMIB的大小增加，BTV正變成甚至更大的工程障礙。已經提出將EMIB放置到玻璃貼片（patch）上以減少BTV并改進翹曲（warpage）。然而，玻璃貼片是具有低熱導率的厚襯底。相應地，熱壓接合（TCB）不適合用于中級互連（MLI）。相應地，MLI的間距（pitch）需要被增加，以便適應備選的接合技術，例如傳統的芯片附接模塊（批量回流（mass reflow））工藝（process）。增加MLI的間距要求使用安置在玻璃貼片上的一個或多個重分布（redistribution）層。重分布層抵消了（negate）由玻璃提供的BTV益處，并且不是期望的解決方案。

附圖說明

圖1和2是根據本公開的實施例的表示制造具有開放腔橋的電子封裝的方法中的各種操作的截面圖說明（cross-sectional illustration）。

圖3是根據本公開的另一實施例的圖2的電子封裝的示例性布局的平面圖說明（plan view illustration）。

圖4和5分別是根據本公開的另一實施例的具有開放腔橋的另一電子封裝的截面圖說明和平面圖說明。

圖6是根據本公開的另一實施例的具有開放腔橋的另一電子封裝的截面圖說明。

圖7A-7D是根據本公開的另一實施例的具有開放腔橋的各種電子封裝的截面圖說明。

圖8A-8D是根據本公開的另一實施例的具有開放腔橋的各種電子封裝的平面圖說明。

圖9是根據本公開的實施例構建的計算裝置的示意圖。

具體實施方式

本文描述的是根據各種實施例的具有開放腔橋的多管芯封裝。在以下描述中，將使用本領域技術人員通常采用的術語來描述說明性實現的各種方面，以向本領域技術人員傳達其工作的實質。然而，對于本領域技術人員將顯而易見的是，可以利用所描述的方面中的僅一些來實踐本公開。為了解釋的目的，闡述了具體的數字、材料和配置，以便提供說明性實現的透徹理解。然而，對于本領域技術人員將顯而易見的是，可以在沒有具體細節的情況下實踐本公開。在其它實例中，省略或簡化了眾所周知的特征，以便不使說明性實現模糊不清。

將以最有助于理解本公開的方式依次把各種操作描述為多個分立的操作，然而，描述的順序不應該被解釋成暗示這些操作必須是順序依賴的。特別地，這些操作不需要以呈現的順序來執行。