[發明專利]一種相變存儲單元有效
| 申請號： | 202011528520.1 | 申請日： | 2020-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN112635666B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發明（設計）人： | 李震;唐韜;繆向水;萬祥 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 存儲 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變存儲單元，其特征在于，包括至上而下依次放置的上電極、OTS層、金屬隔離層、絕緣層、相變層和下電極；
所述金屬隔離層的下表面凹凸不平，所述金屬隔離層的凸起部分與所述相變層的上表面接觸，且接觸面為多圓環狀；所述金屬隔離層的凹陷部分被所述絕緣層填充；
所述金屬隔離層用于隔離所述OTS層和所述相變層，防止所述OTS層和所述相變層的材料發生擴散；
所述絕緣層用于減小所述金屬隔離層和所述相變層的接觸面積，以減緩相變層熱量的擴散。
2.根據權利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述凸起部分分散在所述金屬隔離層的下表面，使所述相變存儲單元中的電流分布更加分散。
3.根據權利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述凸起部分的最小寬度為6nm；凸起部分的寬度越小，相變存儲單元的電熱效率越高。
4.根據權利要求3所述的相變存儲單元，其特征在于，凸起部分的寬度為6nm。
5.根據權利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述金屬隔離層的材料為Ti、Au、Pt或W。
6.根據權利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述絕緣層的材料為SiO2。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的相變存儲單元，其特征在于，適用于三維交叉堆疊結構的相變存儲器。
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