[發明專利]一種量子點材料及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 202011528467.5 | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112592713B | 公開(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發明(設計)人: | 孫小衛;張文達;王愷 | 申請(專利權)人: | 深圳撲浪創新科技有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/84;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/64 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區布吉街道甘李*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明提供一種量子點材料及其制備方法和應用,所述量子點材料為核殼結構,所述核殼結構依次包括核心、過渡層和殼層;所述過渡層的材料包括稀土元素硫化物、MnS、MgS、Al2S3中的任意一種,所述殼層的材料包括ZnS;或所述過渡層的材料包括ZnSe,所述殼層的材料包括稀土元素硫化物、稀土元素硒化物、稀土元素碲化物、MnS、MgS、Al2S3中的任意一種,所述量子點材料通過對所述過渡層和殼層材料進行選擇,找到了與所述核心材料失配度較低且禁帶寬的過渡層和殼層材料,使得所述量子點材料各層材料之間匹配度高,具有發光效率高、合成工藝簡單、成本低等優點,適合工業化批量化生產。
技術領域
本發明屬于納米材料技術領域,具體涉及一種量子點材料及其制備方法和應用。
背景技術
量子點是一種直徑小于10nm的無機半導體納米晶體材料,其粒徑小于或接近激子波爾半徑時會出現量子尺寸效應,并且隨著量子點尺寸的逐漸減小,量子點的光譜出現藍移現象,尺寸越小,則藍移現象越顯著,因此通過控制量子點的尺寸,就可以方便地調節其能隙寬度,從而控制其發出光的顏色。目前II-VI族、III-V族量子點的制備已經趨于成熟,量子產率可達到80%以上。已經廣泛的用到顯示照明、生物探針、光電探測器等領域。
其中,InP和CdSe量子點作為量子點材料的代表,具有低毒性和合適的發光范圍等優點,被視為下一代量子點明星材料,已經成為全球研究熱點。但是InP和CdSe量子點材料由于尺寸較小,比表面積大、表面缺陷多等不足,很容易導致熒光猝滅。所以為了提高量子點的發光性能,引入合適的、化學穩定的、寬帶隙半導體殼層能夠有效地提高其載流子的量子限效應。CN107502352A公開了一種InP/ZnS核殼結構量子點的制備方法,以碘化銦作為量子點制備In前驅體,十二硫醇作為硫源,以十八烯為穩定劑,油胺作為溶劑、反應劑和配體,油酸鋅作為包裹殼層結構的Zn源,得到InP/ZnS核殼結構量子點,有效提高了量子點材料的發光產率,但是由于紅色InP核心的成核和生長較難控制,難以得到尺寸分布均一、半峰寬窄的納米晶顆粒,影響最終InP/ZnS核殼結構的形成,另一方面,InP和ZnS的晶格常數差距較大,ZnS較難有效生長在InP顆粒表面將其包覆,容易造成發光效率較低、穩定性較差等缺點。
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