[發明專利]一種能夠防止繞鍍和對指定區進行鍍膜的鍍膜治具

在審

• 申請號: 202011528342.2
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112725756A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 袁小夫;舒本劍
• 申請（專利權）人: 安徽安合鑫光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/04
• 代理公司: 蘇州彰尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32336
• 代理人: 曹恒濤

本發明一種能夠防止繞鍍和對指定區進行鍍膜的鍍膜治具，通過在鍍膜傘葉上開設有一個與鍍膜治具外形大小1:1的通孔，通過卡簧使得鍍膜治具與鍍膜傘葉卡接后進行鍍膜，鍍膜治具按照鍍膜基片外形的大小進行開槽，鍍膜基片包括VA區和BM區,在鍍膜時將鍍膜基片的BM區朝下放入鍍膜治具中的遮蔽區域，VA區放置在鍍膜治具的槽口區域，從鍍膜去看只有VA區，BM區完全被遮蔽掉，將裝載好的鍍膜基片的鍍膜治具裝入到鍍膜傘葉中，最后將傘具裝到鍍膜真空室內進行鍍膜，這樣就只對VA區進行鍍膜，該鍍膜方法適用于針對于2.5D、3D等曲面玻璃的鍍膜，防止將膜層鍍在四周的油墨上，防止產品在鍍膜過程中出現繞鍍到產品的正面。

技術領域

本發明涉及真空鍍膜機技術領域，較為具體的，涉及到一種能夠防止繞鍍和對指定區進行鍍膜的鍍膜治具。

背景技術

真空鍍膜是將真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上，從而形成一層薄膜的技術。現有的真空蒸發鍍膜設備包括真空罩和抽真空裝置，真空罩內具有一個用于蒸發鍍膜材料的蒸發源，待鍍膜的基片定位在蒸發源的前方。鍍膜過程中，真空罩被抽至高真空，蒸發源中的物質蒸發，蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面形成一層薄膜。在鍍膜的過程中，可以采用多個蒸發源或者旋轉基片的方式保證膜層厚度的均勻性。目前，為了保證膜層厚度均勻性采用的較為廣泛的方式是旋轉基片，其通過將需要鍍膜的基片放置在傘葉上，傘葉固定在傘架上，并使得并使得傘架沿著中心軸旋轉，但是目前的真空鍍膜傘架上放置的鍍膜基片在進行鍍膜時是無法實現局部鍍膜。

發明內容

有鑒于此，為了解決真空鍍膜傘架上放置的鍍膜基片在進行鍍膜時是無法實現局部鍍膜的問題，本發明一種能夠防止繞鍍和對指定區進行鍍膜的鍍膜治具，通過在鍍膜傘葉1上開設有一個與鍍膜治具4外形大小1:1的通孔2，通過卡簧3使得鍍膜治具4與鍍膜傘葉1卡接后進行鍍膜，鍍膜治具4按照鍍膜基片外形的大小進行開槽，鍍膜基片包括VA區和BM區,在鍍膜時將鍍膜基片的BM區朝下放入鍍膜治具4中的遮蔽區42域，VA區放置在鍍膜治具4的槽口41區域，從鍍膜去看只有VA區，BM區完全被遮蔽掉，將裝載好的鍍膜基片的鍍膜治具4裝入到鍍膜傘葉1中，最后將傘具裝到鍍膜真空室內進行鍍膜，這樣就只對VA區進行鍍膜，該鍍膜方法適用于針對于2.5D、3D等曲面玻璃的鍍膜，防止將膜層鍍在四周的油墨上，給后工序的貼合造成不良，防止產品在鍍膜過程中出現繞鍍到產品的正面。

一種能夠防止繞鍍和對指定區進行鍍膜的鍍膜治具，其包括：鍍膜傘葉1和鍍膜治具4，鍍膜傘葉1上開設有與鍍膜治具4外形相匹配的通孔2，通孔2的兩邊分別設置有多組卡簧3，其特征在于：鍍膜治具4上設有與鍍膜基片外形相匹配的多個槽口41，槽口41的下表面邊緣設有與鍍膜治具4一體成型的遮蔽區42，遮蔽區42的上表面與槽口41的下表面在同一水平面上，遮蔽區42的下表面與鍍膜治具4的下表面在同一水平面上，遮蔽區42為凸起結構，遮蔽區42的上表面高于遮蔽區42的下表面，槽口41的上表面邊緣為一圈折邊43，折邊43的上表面低于鍍膜治具4的上表面，多個槽口41呈矩形陣列排列。

進一步的，卡簧3的材質為塑料材質，卡簧3為中空結構，一端與鍍膜治具4卡接，另一端通過螺絲固定在鍍膜傘葉1開設的通孔2邊緣的鍍膜傘葉1上。

進一步的，槽口41的外形的邊緣比鍍膜產品外形的邊緣大0.05mm～0.07mm。

進一步的，遮蔽區42的上表面高于遮蔽區42的下表面的高度為5mm～6mm，遮蔽區42太高，在鍍膜過程中會造成鍍膜陰影，給鍍膜基片造成不良。

進一步的，槽口41的四角為圓弧狀設計，防止鍍膜基片在裝載過程中直角對產品的刮碰傷。

進一步的，卡簧3的組數至少為2組。

進一步的，卡簧3與鍍膜基片為可拆卸連接。

進一步的，通孔2為矩形或者圓形。

進一步的，鍍膜治具4與鍍膜傘葉1材質相同，均為不銹鋼材質。