[發明專利]一種低壓快恢復二極管的制備方法及二極管在審
| 申請號： | 202011528257.6 | 申請日： | 2020-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN112652534A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 楊勇;張光亞;朱勇華;付國振 | 申請（專利權）人： | 深圳市美浦森半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L29/861;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中山市科企聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44337 | 代理人： | 楊立銘 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區招*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低壓 恢復 二極管 制備 方法 | ||
1.一種低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
(1)制備一N型半導體襯底，在襯底上形成一N型外延層；
(2)在所述N型外延層上場氧形成一熱氧化層；
(3)通過N+截止環掩模版曝光刻蝕露出N+open離子注入窗口區；
(4)在所述N+open的窗口區高能離子注入離子磷；
(5)通過PLS主結掩模版曝光刻蝕PLS主結區，并高能離子注入硼；
(6)完成后進行高溫推進形成P阱與N阱；
(7)在器件正面濺射鋁，通過金屬掩模版曝光刻蝕形成正電極；
(8)在正電極表面淀積鈍化層，通過鈍化層掩模版曝光刻蝕形成器件保護結構；
(9)在N型半導體襯底的背面蒸發形成一金屬銀層，并引出負電極。
2.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述熱氧化層的厚度為20000～25000埃。
3.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，在所述步驟(4)中高能離子注入離子磷采用的能量為30～80kev、劑量為1E15～3E15。
4.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，在所述步驟(5)中高能離子注入硼采用的能量為30～80kev、劑量1E15～3E15。
5.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，在所述步驟(6)中高溫推進采用的溫度為1200～1250C、時間為400～600min。
6.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)中鋁的厚度為4～5微米。
7.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟(8)中鈍化層的厚度為5000～10000埃。
8.根據權利要求1所述的低壓快恢復二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟(9)中金屬銀層的厚度為1～1.5微米。
9.一種低壓快恢復二極管，其特征在于，所述二極管采用權利要求1-8任一項所述的制備方法制得。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
