[發(fā)明專利]電子裝置及其天線結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011528194.4
• 申請(qǐng)日: 2020-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN113036403A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳建逸;吳朝旭;黃士耿;王策玄;楊易儒;陳浩元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 和碩聯(lián)合科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01Q1/36
• 分類號(hào): H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/307;H01Q5/20
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 章侃銥;鄭特強(qiáng)

本發(fā)明公開一種電子裝置及其天線結(jié)構(gòu)。天線結(jié)構(gòu)包括：一第一輻射件、一饋入件、一第二輻射件以及一接地件。饋入件設(shè)置在第一輻射件的一第一側(cè)邊，饋入件與第一輻射件相距一第一預(yù)定間距，且饋入件、第一預(yù)定間距及第一輻射件共振產(chǎn)生一低頻帶以及一高頻帶。第二輻射件設(shè)置在第一輻射件相對(duì)第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊。第二輻射件包括一本體部及一接地部。本體部與第一輻射件相距一第二預(yù)定間距。接地部、本體部及第二預(yù)定間距共振而增加低頻帶的帶寬。接地件設(shè)置在第一輻射件的第一側(cè)邊，接地部電性連接于接地件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種天線結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具有雙頻寬頻帶的電子裝置及其天線結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

首先，隨著第五代移動(dòng)通信技術(shù)(5th Generation Mobile Networks，5G)的發(fā)展，寬頻天線的特性要求越來越高。就目前的5G NR頻段而言，n257的應(yīng)用頻率范圍介于26.5GHz至29.5GHz之間，且n260的應(yīng)用頻率范圍介于37GHz至40GHz之間。但是，n257的應(yīng)用頻率范圍及n260的應(yīng)用頻率范圍非常接近，因此，同時(shí)涵蓋有兩個(gè)頻帶的寬頻天線的架構(gòu)將會(huì)較難設(shè)計(jì)。

目前的做法是利用雙饋入而產(chǎn)生兩個(gè)5G的頻段。然而，如何利用單饋入的方式產(chǎn)生雙頻天線的特性，來克服上述的缺陷，已成為該項(xiàng)技術(shù)所欲解決的重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種電子裝置及其天線結(jié)構(gòu)。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種天線結(jié)構(gòu)，其包括：一第一輻射件、一饋入件、一第二輻射件以及一接地件。所述饋入件設(shè)置在所述第一輻射件的一第一側(cè)邊，所述饋入件與所述第一輻射件相距一第一預(yù)定間距，且所述饋入件、所述第一預(yù)定間距及所述第一輻射件共振產(chǎn)生一低頻帶以及一高頻帶。所述第二輻射件設(shè)置在所述第一輻射件相對(duì)所述第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊，所述第二輻射件包括一本體部及一接地部，所述本體部與所述第一輻射件相距一第二預(yù)定間距，所述接地部、所述本體部及所述第二預(yù)定間距共振而增加所述低頻帶的帶寬。所述接地件設(shè)置在所述第一輻射件的所述第一側(cè)邊，所述接地部電性連接于所述接地件。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的另外一技術(shù)方案是，提供一種電子裝置，其包括：多個(gè)天線陣列組、多個(gè)信號(hào)源以及一射頻芯片。每一所述天線陣列組包含極化方向不同的兩個(gè)相鄰的天線結(jié)構(gòu)。每一所述天線結(jié)構(gòu)包括：一第一輻射件、一饋入件、一第二輻射件以及一接地件。所述饋入件設(shè)置在所述第一輻射件的一第一側(cè)邊，所述饋入件與所述第一輻射件相距一第一預(yù)定間距，且所述饋入件、所述第一預(yù)定間距及所述第一輻射件共振產(chǎn)生一低頻帶以及一高頻帶。所述第二輻射件設(shè)置在所述第一輻射件相對(duì)所述第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊，所述第二輻射件包括一本體部及一接地部，所述本體部與所述第一輻射件相距一第二預(yù)定間距，所述接地部、所述本體部及所述第二預(yù)定間距共振而增加所述低頻帶的帶寬。所述接地件設(shè)置在所述第一輻射件的所述第一側(cè)邊，所述接地部電性連接于所述接地件。每一所述信號(hào)源分別對(duì)應(yīng)于相對(duì)應(yīng)的所述天線結(jié)構(gòu)，每一所述信號(hào)源包括一饋入端以及一接地端，所述饋入端電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述天線結(jié)構(gòu)的所述饋入件，所述接地端電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述天線結(jié)構(gòu)的所述接地件。所述射頻芯片電性連接于所述多個(gè)信號(hào)源。

本發(fā)明的其中一有益效果在于，本發(fā)明所提供的電子裝置及其天線結(jié)構(gòu)，其能通過“饋入件”以及“饋入件與第一輻射件之間的第一預(yù)定間距達(dá)到較佳的阻抗匹配，同時(shí)，能通過“本體部與第一輻射件之間的第二預(yù)定間距”以及“第二輻射件電性連接于接地件的路徑”增加低頻的頻帶，使得在單饋入的情況下增加天線結(jié)構(gòu)U的阻抗頻寬，并達(dá)到良好的阻抗匹配的效果。

為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的立體分解示意圖。