[發明專利]一種復合襯底及其制造方法在審
| 申請號： | 202011528158.8 | 申請日： | 2020-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN112652687A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 至芯半導體（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京華創智道知識產權代理事務所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭隨麗 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 襯底 及其 制造 方法 | ||
1.一種復合襯底，包括襯底基板(101)，其特征在于：所述襯底基板(101)上交錯分布有凹槽，凹槽中填充異質材料填充層(102)，異質材料填充層(102)上表面低于襯底基板(101)上表面；襯底基板(101)和異質材料填充層(102)的折射率相異且異質材料填充層(102)折射率小于4。
2.如權利要求1所述的復合襯底，其特征在于：有氮化物層(103)覆蓋在襯底基板(101)和異質材料填充層(102)上；襯底基板(101)上覆蓋的氮化物層(103)和異質材料填充層(102)上覆蓋的氮化物層(103)厚度相同。
3.如權利要求1所述的復合襯底，其特征在于：所述異質材料填充層(102)包含至少兩種折射率相異的材料；異質材料填充層(102)的折射率由底至上單調增減。
4.如權利要求1所述的復合襯底，其特征在于：所述異質材料填充層(102)上表面和襯底基板(101)上表面的高度差為5～200nm。
5.一種復合襯底制造方法，其特征在于：在襯底基板(101)上生長一層SiO2,制出穿過SiO2的凹槽，往凹槽中填充異質材料填充層(102)，去除襯底基板(101)上表面的SiO2，在襯底基板(101)和異質材料填充層(102)上生長氮化物層(103)。
6.如權利要求5所述的復合襯底制造方法，其特征在于：所述凹槽通過等離子刻蝕或激光切割制出。
7.如權利要求5所述的復合襯底制造方法，其特征在于：所述SiO2用刻蝕液去除。
8.如權利要求5所述的復合襯底制造方法，其特征在于：所述SiO2用等離子增強化學氣相沉積設備形成。
9.如權利要求5所述的復合襯底制造方法，其特征在于：所述氮化物層(103)是利用三甲基鋁、氫氣和氨氣生長得到AlN。
10.如權利要求7所述的復合襯底制造方法，其特征在于：所述刻蝕液為BOE溶液或HF溶液。
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