[發明專利]一種彈性晶片的制造方法

在審

• 申請號: 202011526691.0
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112626616A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 徐百
• 申請（專利權）人: 蘇州納通生物納米技術有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/00
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 張一鳴

本發明提供了一種彈性晶片的制造方法，包括：單晶硅的制備、納米微加工；所述單晶硅的制備包括：S1清潔處理、S2裝爐、S3熔化、S4引晶、S5縮徑、S6放肩、S7等徑生長、S8收尾；所述S1清潔處理：將爐體、籽晶、硅多晶、摻雜劑、石英坩堝進行清潔處理；所述S2裝爐：將多晶硅和摻雜劑置入單晶爐內的石英坩堝中；所述S3熔化：當裝爐結束關閉單晶爐門后，抽真空使單晶爐內保持在一定的壓力范圍內，驅動石墨加熱系統的電源；本發明通過對彈性晶片的制造方法的改進，具有設計合理，易于實現、便于加工生產，制得晶片安全、無痛、無創、便于使用，促進吸收，提高護理效果的優點，從而有效的解決了本發明提出的問題和不足。

技術領域

本發明涉及美容護理技術領域，更具體的說，尤其涉及一種彈性晶片的制造方法。

背景技術

人類皮膚的角質層很薄，其厚度僅為6-25微米，卻相當“堅韌”，是皮膚最重要的保護層。有效成分吸收是眾多大牌化妝品和消費者非常關注的問題，但是一直沒有有效的手段。目前主要以物理微波、激光、有創滾輪微針和化學促滲劑、導入液體的化妝品為主。

這些傳統的方法在使用時存在較大的局限性局限：

過深：傳統注射必須刺破真皮層，無法精確控制藥物釋放速度，有痛感、可能有毒副作用、感染風險等；過淺：無論治療皮膚疾病的外用藥膏還是美容護膚品，無法穿透皮膚表皮薄而堅韌的角質層，從而使有效活性成分無法抵達目標部位，吸收效率極低，“事倍功半”。

有鑒于此，針對現有的問題予以研究改良，提供一種彈性晶片的制造方法，旨在通過該技術，達到解決問題與提高實用價值性的目的。

發明內容

本發明的目的在于提供一種彈性晶片的制造方法，以解決上述背景技術中提出的問題和不足。

為實現上述目的，本發明提供了一種彈性晶片的制造方法，由以下具體技術手段所達成：

一種彈性晶片的制造方法，包括：單晶硅的制備、納米微加工；所述單晶硅的制備包括：

S1清潔處理；

S2裝爐；

S3熔化；

S4引晶；

S5縮徑；

S6放肩；

S7等徑生長；

S8收尾；

所述S1清潔處理：將爐體、籽晶、硅多晶、摻雜劑、石英坩堝進行清潔處理；

所述S2裝爐：將多晶硅和摻雜劑置入單晶爐內的石英坩堝中；

所述S3熔化：當裝爐結束關閉單晶爐門后，抽真空使單晶爐內保持在一定的壓力范圍內，驅動石墨加熱系統的電源，加熱至大于硅的熔化溫度1420℃，使多晶硅和摻雜物熔化；

所述S4引晶：當多晶硅熔融體溫度穩定后，將籽晶慢慢下降進入硅熔融體中，并且籽晶在硅熔體中也會被熔化，然后在具有一定轉速的籽晶，按一定速度向上提升，由于軸向及徑向溫度梯度產生的熱應力和熔融體的表面張力作用，使籽晶與硅熔體的固液交接面之間的硅熔融體冷卻成固態的硅單晶；

所述S5縮徑：當籽晶與硅熔融體接觸時，由于溫度梯度產生的熱應力和熔體的表面張力作用，會使籽晶晶格產生大量位錯，這些位錯可利用縮徑工藝使之消失，即使用無位錯單晶作籽晶浸入熔體后，由于熱沖擊和表面張力效應也會產生新的位錯，因此制作無位錯單晶時，需在引晶后先生長一段呈細頸的單晶，且直徑為2-4毫米，并加快提拉速度，由于單晶細頸處應力小，不足以產生新位錯，也不足以推動籽晶中原有的位錯迅速移動，晶體生長速度超過了位錯運動速度，與生長軸斜交的位錯就被中止在晶體表面上，從而可以生長出無位錯單晶，無位錯硅單晶的直徑生長粗大后，盡管有較大的冷卻應力也不易被破壞；

所述S6放肩：在縮徑工藝中，當細頸生長到足夠長度時，通過逐漸降低晶體的提升速度及溫度調整，使晶體直徑逐漸變大而達到工藝要求直徑的目標值，為了降低晶棒頭部的原料損失，目前幾乎都采用平放肩工藝，即使肩部夾角呈180°；