[發明專利]一種晶圓緩存裝置和化學機械拋光系統在審
| 申請號: | 202011525151.0 | 申請日: | 2020-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN112652562A | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 許振杰;肖瑩;孫傳惲;鄭樹茂 | 申請(專利權)人: | 華海清科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300350 天津市津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 緩存 裝置 化學 機械拋光 系統 | ||
1.一種晶圓緩存裝置,其特征在于,包括支撐架和檢測組件,所述支撐架用于水平支撐晶圓,所述檢測組件設置于所述支撐架的外周側;所述檢測組件包括信號收發部和匹配設置的反射部,所述信號收發部輸出的光信號朝向所述反射部發射,所述反射部將光信號反射至所述信號收發部;所述檢測組件根據所述信號收發部的接收的光信號判定所述支撐架是否放置晶圓。
2.如權利要求1所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述信號收發部傾斜朝向支撐架所在平面發射光信號,其傾斜角度小于10°。
3.如權利要求1所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述檢測組件還包括遮光板,其罩設于所述反射部的側部;所述遮光板配置有透光孔,信號收發部發射的光信號經由所述透光孔入射至所述反射部,再自所述反射部經由所述透光孔發射至所述信號收發部。
4.如權利要求3所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述遮光板包括頂板和凸臺,所述凸臺設置于所述頂板的兩端以形成U形結構;所述頂板的尺寸與所述反射部的外形相匹配。
5.如權利要求4所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述透光孔為貫通孔,其偏心設置于所述遮光板的頂板。
6.如權利要求5所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述透光孔為腰形孔,所述腰形孔的中心位于所述遮光板的水平中線下側。
7.如權利要求4所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述遮光板由非金屬材料制成,所述頂板涂覆有抗反射涂層。
8.如權利要求7所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述遮光板由聚四氟乙烯制成,所述抗反射涂層的折射率為1-1.5。
9.如權利要求1所述的晶圓緩存裝置,其特征在于,所述支撐架的數量為多個,其沿豎直方向間隔均勻設置;相鄰支撐架配置的檢測組件的信號收發部和反射部交錯設置。
10.一種化學機械拋光系統,其特征在于,包括權利要求1至9任一項所述的晶圓緩存裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





