[發明專利]發光器件及其制備方法、以及顯示裝置

在審

• 申請號: 202011523163.X
• 申請日: 2020-12-21
• 公開（公告）號: CN112670424A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 蔣杰;莊錦勇;李雪
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 宋朝政

本發明公開一種發光器件及其制備方法、以及顯示裝置。其中，所述發光器件包括發光層，所述發光層的材質包括發光材料和空穴傳輸材料。通過向基礎的發光材料中摻雜空穴傳輸材料形成復合發光層，提高了空穴傳輸效率，從而促進了載離子注入的平衡，進而提高了發光器件的效率。

技術領域

本發明涉及顯示裝置技術領域，特別涉及一種發光器件及其制備方法、以及顯示裝置。

背景技術

在發光器件中，載流子注入不平衡制約著其發展，以量子點發光二極管(QLED器件)為例，不論是正置結構還是倒置結構，電子傳輸效率遠大于空穴傳輸效率，使QLED器件中存在很嚴重的俄歇復合現象，注入的載流子無法得到較為高效的發光，從而導致QLED器件的效率較低。

發明內容

本發明的主要目的是提出一種發光器件及其制備方法、以及顯示裝置，旨在解決現有發光器件的載流子注入不平衡的問題。

為實現上述目的，本發明提出一種發光器件，包括發光層，所述發光層的材質包括空穴傳輸材料和發光材料。

可選地，所述空穴傳輸材料包括TFB、PVK、CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC和NPB中的任意一種。

可選地，所述發光材料與所述空穴傳輸材料的質量比為10:1～100:1。

可選地，所述發光器件還包括基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和陰極

可選地，所述發光器件包括量子點發光二極管。

可選地，所述發光層的厚度為12～16nm。

本發明進一步提出一種如上所述的發光器件的制備方法，包括以下步驟：

將發光材料溶解于第一有機溶劑，得到溶液A；

將空穴傳輸材料溶解于第二有機溶劑，得到溶液B；

將所述溶液B加入所述溶液A中，并混合均勻，得到混合溶液；

將所述混合溶液涂設于空穴傳輸層上，制得發光層。

可選地，所述第一有機溶劑包括四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、正辛烷、正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1,4-二氧雜環己烷、四氫萘、十四烷、十六烷、正辛基苯、十四酸異丙酯、癸基環己烷、十氫萘、十六烯、聯環己烷、十一烷基環己烷、長葉烯、環十二烯、正辛基環己烷、十二烷基環己烷、十二烷基苯、十一烷基環己烷、正辛基苯基醚、甲基丙烯酸異冰片酯中的任意一種；

所述第二有機溶劑包括甲苯、二甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、三甲苯、氯苯、鄰二氯苯中的任意一種。

可選地，所述第一有機溶劑和所述第二有機溶劑的體積比為(1～9)：1。

此外，本發明還提出一種顯示裝置，包括如上所述的發光器件。

本發明提供的技術方案中，發光器件包括發光層，發光層的材質包括發光材料和空穴傳輸材料，通過向基礎的發光材料中摻雜空穴傳輸材料形成復合發光層，提高了空穴傳輸效率，從而促進了載離子注入的平衡，進而提高了發光器件的效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅為本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。

圖1為本發明提供的發光器件的一實施例的結構示意圖；

圖2為本發明對比例制得的量子點發光層的AFM圖；

圖3為本發明實施例1制得的復合發光層的AFM圖；