[發明專利]一種分布式反饋激光器

有效

• 申請號: 202011522591.0
• 申請日: 2020-12-22
• 公開（公告）號: CN112260060B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 劉應軍;王丹;劉巍;王任凡
• 申請（專利權）人: 武漢敏芯半導體股份有限公司
• 主分類號: H01S5/12
• 分類號: H01S5/12;H01S5/343
• 代理公司: 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448
• 代理人: 黃耀威

1.一種分布式反饋激光器，其特征在于，包括諧振腔，所述諧振腔包括襯底以及在襯底上由下至上依次生長的下緩沖層、光柵層、下限制層、有源及無源層、上限制層及腐蝕停層；

所述腐蝕停層上形成有脊條結構，所述脊條結構包括由下至上依次生長的縱向載流子擴展限制層、上緩沖層、歐姆接觸層及電極層；

所述縱向載流子擴展限制層的中部設有能夠使載流子沿縱向擴展的縱向載流子流通區域，所述縱向載流子流通區域的兩端分別設有阻擋載流子沿縱向擴展的縱向載流子阻擋區域；所述有源及無源層中對應于所述縱向載流子流通區域的部分為有源區，所述有源及無源層中對應于所述縱向載流子阻擋區域的部分為無源區，其中，所述縱向為所述脊條結構的長度方向；

所述縱向載流子阻擋區域由高鋁材料通過濕氮氧化方式得到的絕緣氧化物所構成的，所述高鋁材料可為摻雜Al的摩爾比為不小于0.9的AlGaAs或AlInGaAs；

或者所述縱向載流子阻擋區域由低鋁材料通過注入質子的方式所得到的，所述低鋁材料可為摻雜Al的摩爾比在0.3-0.6的AlGaAs或AlInGaAs，所述質子為鋅質子；

所述縱向載流子流通區域的長度不超過160μm。

2.根據權利要求1所述的分布式反饋激光器，其特征在于，每個所述縱向載流子阻擋區域的長度均不超過40μm。

3.根據權利要求1所述的分布式反饋激光器，其特征在于，所述諧振腔的縱向的相對兩端面均為解離面。

4.根據權利要求1所述的分布式反饋激光器，其特征在于，所述諧振腔的縱向的相對兩端面分別設有高反膜和低反膜。

5.根據權利要求1所述的分布式反饋激光器，其特征在于，所述有源區為量子阱結構或量子點結構。

6.根據權利要求1所述的分布式反饋激光器，其特征在于，所述光柵層為波長選擇光柵或一維度光子晶體。

7.根據權利要求6所述的分布式反饋激光器，其特征在于，所述波長選擇光柵為均勻光柵、啁啾光柵、插值光柵或相移光柵。