[發明專利]一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管及其制備方法和發光裝置

在審

• 申請號: 202011521713.4
• 申請日: 2020-12-21
• 公開（公告）號: CN112670423A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 譚海仁;韓巧雷;吳金龍;盧倩文
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州市律帆知識產權代理事務所(普通合伙) 44614
• 代理人: 王園園

1.一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，包括透明導電襯底，其特征在于，所述透明導電襯底上依次設置有第一傳輸層、鈣鈦礦第一發光層、第二傳輸層、第一中間連接層、第三傳輸層、鈣鈦礦第二發光層、第四傳輸層、第二中間連接層、第五傳輸層、鈣鈦礦第三發光層、第六傳輸層、金屬電極；

其中，所述第一傳輸層和所述第二傳輸層分別為第一空穴注入層和第一電子注入層，或者所述第一傳輸層和所述第二傳輸層分別為第一電子注入層和第一空穴注入層；所述第三傳輸層和所述第四傳輸層分別為第二空穴注入層和第二電子注入層，或者所述第三傳輸層和所述第四傳輸層分別為第二電子注入層和第二空穴注入層；所述第五傳輸層和所述第六傳輸層分別為第三空穴注入層和第三電子注入層，或者所述第五傳輸層和所述第六傳輸層分別為第三電子注入層和第三空穴注入層。

2.根據權利要求1所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述透明導電襯底為氧化銦錫襯底、摻氟氧化錫襯底、氧化銦鋅襯底中的任一種。

3.根據權利要求1所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述第一空穴注入層、第二空穴注入層和第三空穴注入層均包含p型半導體材料。

4.根據權利要求1所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述第一電子注入層、第二電子注入層和第三電子注入層均包含n型半導體材料。

5.根據權利要求1所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述第一中間連接層和第二中間連接層均包含致密層、空穴傳輸層和/或電子傳輸層；

其中，所述致密層包含n型半導體材料或p型半導體材料；所述空穴傳輸層和電子傳輸層分別獨立地包含氧化鉬、3，4-乙撐二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸鹽、氧化釩、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲、氧化錫、氧化鈦、氧化鎢的至少一種。

6.根據權利要求3或5所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述p型半導體材料為氧化鎳、氧化鉬、酞菁銅、硫氰酸亞銅、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚3,4-乙撐二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸鹽、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚乙烯基咔唑中的至少一種。

7.根據權利要求4或5所述的一種可發白光的鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，所述n型半導體材料為氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、富勒烯、石墨烯、富勒烯衍生物、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯、2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)異酞腈中的至少一種。

8.一種如權利要求1～7中任一項所述可發白光的鈣鈦礦發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

取一透明導電襯底，并在透明導電襯底上制備一層第一空穴注入層；

在第一空穴注入層上制備一層鈣鈦礦第一發光層；

在鈣鈦礦第一發光層上制備一層第一電子注入層；

在第一電子注入層上制備第一中間連接層；

在第一中間連接層上制備一層第二空穴注入層；

在第二空穴注入層上制備一層鈣鈦礦第二發光層；

在鈣鈦礦第二發光層上制備一層第二電子注入層；

在第二電子注入層上制備第二中間連接層；

在第二中間連接層上制備一層第三空穴注入層；

在第三空穴注入層上制備一層鈣鈦礦第三發光層；

在鈣鈦礦第三發光層上制備一層第三電子注入層；

在第三電子注入層上制備金屬電極，得到所述鈣鈦礦發光二極管。

9.一種如權利要求8所述制備方法制得的鈣鈦礦發光二極管。

10.一種包含如權利要求1～7、9中任一項所述的鈣鈦礦發光二極管發光裝置。