[發(fā)明專利]一種機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011520772.X
• 申請(qǐng)日: 2020-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN112564073A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧小軍;段士龍;楊粵濤;張傳森;于杰;高偉松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州長風(fēng)航空電子有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/02
• 分類號(hào): H02H9/02
• 代理公司: 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11718
• 代理人: 李思瓊;張卓

1.一種機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，包括第一熱敏電阻(R1)、第一P溝道MOSFET(Q1)、第一PNP晶體管(Q2)、第二NPN晶體管(Q3)、第一電容(C1)、第二電容(C2)、第一電阻(R2)、第二電阻(R3)、第三電阻(R4)、第四電阻(R5)、第五電阻(R6)；

所述第一熱敏電阻(R1)一端與第一P溝道MOSFET(Q1)的s源極連接，另一端和與第一P溝道MOSFET(Q1)D漏極連接；第一P溝道MOSFET(Q1)的柵極G和第二電阻(R3)的一端連接、漏極D和第二電阻(R3)的另一端連接；第一P溝道MOSFET(Q1)的柵極G和第一PNP晶體管(Q2)的集電極C連接，源極S和第一PNP晶體管(Q2)的發(fā)射極E連接；第一電阻(R2)一端和第一PNP晶體管(Q2)的基極B連接，另一端和第一熱敏電阻(R1)的a端、第一PNP晶體管(Q2)的發(fā)射極E、第一P溝道MOSFET(Q1)的S源極連接；第三電阻(R4)的一端和第一PNP晶體管(Q2)的基極B端連接，另一端與第二NPN晶體管(Q3)的集電極C端連接，第二NPN晶體管(Q3)集電極C端和第二電容(C2)的正極連接、第二NPN晶體管(Q3)發(fā)射級(jí)日端與第二電容(C2)負(fù)極均連接，第五電阻(R6)一端和第一P溝道MOSFET(Q1)的柵極G連接，第五電阻(R6)另一端和第二電容(C2)負(fù)極、第二NPN晶體管(Q3)發(fā)射級(jí)E端連接并接地，第一電容(C1)正極和第一熱敏電阻(R1)的b端連接，第一電容(C1)負(fù)極和第四電阻(R5)的一端連接，第四電阻(R5)的另一端和第二NPN晶體管(Q3)基極B端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，還包括第一穩(wěn)壓管(D1)，第一P溝道MOSFET(Q1)的柵極G和第一穩(wěn)壓管(D1)的正極連接、第一P溝道MOSFET(Q1)的漏極D和第一穩(wěn)壓管(D1)的負(fù)極連接，第一穩(wěn)壓管(D1)的負(fù)極和第二電阻(R3)的一端連接，第一穩(wěn)壓管(D1)的正極和第二電阻(R3)的另一端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，所述第一熱敏電阻(R1)為PTC熱敏電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，該抑制電路的輸入端接入電源。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，該抑制電路的輸出端設(shè)置大容量電容，其中，該大容量電容的容值不小于第一電容(C1)和第二電容(C2)的容值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的機(jī)載顯示器上電沖擊電流抑制電路，其特征在于，該抑制電路的輸出端設(shè)置的大容量電容為濾波電容或儲(chǔ)能電容。