[發明專利]光源組件、其制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 202011520407.9 | 申請日: | 2020-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN112652641B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發明(設計)人: | 黃乾祐;陳伯綸;陳俊達;林柏青;許雅筑;范佳銘;高秉詳 | 申請(專利權)人: | 業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G02B3/00;H01L21/67;H01L33/00;H01L33/58 |
| 代理公司: | 成都希盛知識產權代理有限公司 51226 | 代理人: | 楊冬梅;張行知 |
| 地址: | 611730 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光源 組件 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種光源組件,其特征在于,包括:
電路基板;
圖案化的膠體層,位于所述電路基板上,所述膠體層不透光且能夠反射光,所述膠體層遠離所述電路基板的表面形成有呈網格狀縱橫交錯的凸肋以定義出多個凹槽;
微型發光元件,位于所述凹槽內并電性連接所述電路基板,其中,每一所述凹槽內設置有至少兩個發不同顏色光的所述微型發光元件;
基層,填充于每一所述凹槽內并包覆每一所述微型發光元件;
凸透鏡層,位于所述基層遠離所述微型發光元件的表面,所述凸透鏡層包括間隔設置的多個凸透鏡,每一所述凸透鏡對準位于一個所述凹槽內的所有的所述微型發光元件;以及
凹透鏡層,位于所述凸透鏡層遠離所述基層的表面,所述凹透鏡層包括間隔設置的多個凹透鏡,每一所述凹透鏡包覆一個所述凸透鏡;
其中,每一所述凸透鏡用于會聚其對準的所述凹槽內的所述微型發光元件發出的光,每一所述凹透鏡用于消除其包覆的所述凸透鏡對準的一個所述凹槽內的所述微型發光元件發出的不同顏色光的光程差。
2.如權利要求1所述的光源組件,其特征在于,所述基層與所述凸透鏡層在同一模壓制程中一體成型。
3.如權利要求1所述的光源組件,其特征在于,所述基層為紫外固化膠。
4.如權利要求1所述的光源組件,其特征在于,所述膠體層的高度大于等于每一所述微型發光元件的高度。
5.如權利要求1所述的光源組件,其特征在于,所述基層及所述凸透鏡的折射率均為1.4~1.55,所述凹透鏡的折射率為1.5~1.7。
6.如權利要求1所述的光源組件,其特征在于,所述微型發光元件的長度及寬度均小于75微米。
7.一種顯示裝置,包括本體以及設置于所述本體內的光源組件,其特征在于,所述光源組件為如權利要求1至6中任意一項所述的光源組件。
8.一種光源組件的制備方法,其特征在于,包括:
于一電路基板上形成圖案化的膠體層,所述膠體層不透光且能夠反射光,所述膠體層遠離所述電路基板的表面形成有呈網格狀縱橫交錯的凸肋以定義出多個凹槽;
于所述凹槽內設置微型發光元件,其中所述微型發光元件電性連接所述電路基板,且每一所述凹槽內設置有至少兩個發不同顏色光的所述微型發光元件;以及
形成一基層、一凸透鏡層及一凹透鏡層,其中所述基層填充于每一所述凹槽內并包覆每一所述微型發光元件,所述凸透鏡層位于所述基層遠離所述微型發光元件的表面,所述凸透鏡層包括間隔設置的多個凸透鏡,每一所述凸透鏡對準位于一個所述凹槽內的所有的所述微型發光元件,所述凹透鏡層位于所述凸透鏡層遠離所述基層的表面,所述凹透鏡層包括間隔設置的多個凹透鏡,每一所述凹透鏡包覆一個所述凸透鏡;
其中,每一所述凸透鏡用于會聚其對準的所述凹槽內的所述微型發光元件發出的光,每一所述凹透鏡用于消除其包覆的所述凸透鏡對準的一個所述凹槽內的所述微型發光元件發出的不同顏色的光的光程差。
9.如權利要求8所述的光源組件的制備方法,其特征在于,形成所述基層、所述凸透鏡層及所述凹透鏡層的步驟包括:
利用第一次模壓制程一次成型所述基層和所述凸透鏡層;以及
利用第二次模壓制程形成所述凹透鏡層。
10.如權利要求8所述的光源組件的制備方法,其特征在于,形成所述基層、所述凸透鏡層及所述凹透鏡層的步驟包括:
將一膠片貼附于設置有所述膠體層和所述微型發光元件的電路基板上;
提供一透鏡陣列,所述透鏡陣列包括陣列排布的透鏡組,每一所述透鏡組包括一個凸透鏡以及包覆所述凸透鏡的一個凹透鏡,
利用一轉移頭將所述透鏡陣列轉移至所述膠片上,其中,每一所述透鏡組對準一個所述凹槽內的所有的所述微型發光元件,多個所述凸透鏡構成所述凸透鏡層,多個所述凹透鏡構成所述凹透鏡層;
利用紫外光固化所述膠片,得到所述基層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





