[發(fā)明專利]一種改善晶圓破片的激光退火設(shè)備及其使用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011518320.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112670206A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柳俊;謝威;張立 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 破片 激光 退火 設(shè)備 及其 使用方法 | ||
1.一種改善晶圓破片的激光退火設(shè)備,其特征在于,至少包括:
卡盤,位于所述卡盤上的晶圓;所述晶圓上方設(shè)有擋板,所述擋板的一側(cè)邊緣為半圓弧形,該半圓弧形與所述晶圓的上半部分嵌合;并且所述晶圓上半部分邊緣被所述擋板遮住;
所述擋板的半圓弧形的邊緣為鋸齒狀結(jié)構(gòu);
位于所述晶圓與所述擋板上方的WPC照相裝置,該WPC照相裝置用于監(jiān)測(cè)所述晶圓與所述擋板的嵌合度,并用于調(diào)整所述晶圓的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備,其特征在于:所述晶圓上半部分邊緣被所述擋板遮住的寬度為2.8mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備,其特征在于:所述擋板的鋸齒狀結(jié)構(gòu)的邊緣用于減弱激光在晶圓上的光的衍射作用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備,其特征在于:所述嵌合度為所述晶圓相對(duì)于所述擋板的半圓弧形的邊緣的偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備的使用方法,其特征在于,該方法至少包括以下步驟:
步驟一、將晶圓置于所述激光退火設(shè)備的卡盤上;
步驟二、利用所述WPC照相裝置監(jiān)測(cè)所述晶圓與所述擋板的嵌合度,當(dāng)所述晶圓相對(duì)于所述擋板的半圓弧形的邊緣發(fā)生偏移時(shí),調(diào)整所述晶圓的位置,使得所述晶圓上半部分與所述擋板的半圓弧形邊緣完全嵌合,并且嵌合狀態(tài)下所述晶圓上半部分的邊緣被所述擋板遮住,所述晶圓上半部分邊緣被所述擋板遮住的寬度為2.8mm;
步驟三、利用所述激光退火設(shè)備對(duì)所述晶圓表面進(jìn)行激光掃描進(jìn)而退火。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備的使用方法,其特征在于:步驟三中調(diào)整所述晶圓的位置至所述晶圓的上半部分邊緣與所述擋板的半圓弧形的邊緣的距離為2.8mm,使得所述晶圓上半部分的邊緣被所述擋板遮住。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善晶圓破片的激光退火設(shè)備的使用方法,其特征在于:步驟三中利用激光掃描所述晶圓表面的過程中,激光束與所述晶圓的表面呈75度角。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





