[發明專利]電子裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011515877.6
• 申請日: 2020-12-21
• 公開（公告）號: CN113035849A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 陳顯德
• 申請（專利權）人: 優顯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/04;H01L25/065;H01L25/07;H01L21/98;H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 魏利娜

本申請公開電子裝置及其制造方法。一種電子裝置包括：目標襯底、陣列式微半導體結構、陣列式接合件、以及接合層。陣列式微半導體結構設在目標襯底。陣列式接合件對應陣列式微半導體結構、且電連接陣列式微半導體結構至目標襯底的圖樣電路；兩兩接合件彼此獨立；各該接合件為由設在該目標襯底的導電墊片、與設在各該微半導體結構的導電電極通過共晶鍵合的一體性構件。接合層連接各微半導體結構至目標襯底；其中，該接合層不具有導電材料；各該接合件恰由該接合層接觸包覆，該接合層與這些陣列式接合件形成同層關系。

技術領域

本發明涉及一種電子裝置，以及一種微半導體結構共晶接合的電子裝置 及其制造方法。

背景技術

傳統發光二極管(邊長大于150微米以上)在制造光電裝置的過程中， 是以磊晶(Epitaxy)、黃光、鍍金屬、蝕刻等工藝制作發光二極管之后，經切 割得到一顆一顆的發光二極管晶粒，并利用引線接合或共晶接合使發光二極 管的電極與電路襯底電連接。但是，對于微發光二極管而言，由于尺寸相當 小(例如只有25微米或更小)，無法以傳統的引線接合或共晶接合的設備進 行電極的電連接。

因此，對微米尺寸或更小的微發光二極管或微半導體結構進行電連接， 業界亟需有對應的方式。

發明內容

本發明為提供一種電子裝置及其制造方法，可廣泛應用于不同微半導體 結構的電子裝置。

本發明為提供一種電子裝置及其制造方法，可解決因微米尺寸或更小的 微半導體結構的電連接需求。

本發明提供一種電子裝置包括：目標襯底、陣列式微半導體結構、陣列 式接合件、以及接合層。陣列式微半導體結構設在目標襯底。陣列式接合件 對應陣列式微半導體結構、且電連接陣列式微半導體結構至目標襯底的圖樣 電路；兩兩接合件彼此獨立；各該接合件為由設在該目標襯底的導電墊片、 與設在各該微半導體結構的導電電極通過共晶鍵合的一體性構件；各該接合 件定義有連接各該微半導體結構的第一端、連接該目標襯底的第二端、以及 連接該第一端、第二端的周部。接合層連接各微半導體結構至目標襯底；其中，該接合層為非導電材料；各該接合件的該周部恰由該接合層接觸包覆， 該接合層與這些陣列式接合件形成同層關系。

在一個實施例中，各該接合件為銦金合金系統的共晶鍵合。

在一個實施例中，各該接合件為銦鎳合金系統的共晶鍵合。

在一個實施例中，該接合層的該高分子材料包括環氧樹脂系、或壓克力 系。

在一個實施例中，該接合層的該高分子材料的固化溫度為170-220℃。

在一個實施例中，該接合層的該高分子材料的玻璃轉移溫度大于240℃。

本發明提供一種電子裝置的制造方法，包括：在具有導電墊片的目標襯 底上涂覆高分子材料至預備厚度；由涂覆在該目標襯底上的該高分子材料拾 取具有導電電極的陣列式微半導體結構；以及，共晶接合互相對應的該導電 電極與該導電墊片。

其中，該導電墊片包括第一金屬，該高分子材料為不具有導電粒子的非 導電材料；其中，該高分子材料定義黏滯度-溫度變化特征：在第一溫度具有 第一黏滯性，在第二溫度具有第二黏滯性，在第三溫度具有第三黏滯性，在 第四溫度具有第四黏滯性，在第五溫度具有第五黏滯性；其中，該第一溫度 至第五溫度為有序遞增，該第一溫度為常溫、該第五溫度為玻璃轉移溫度； 該第三黏滯性、第五黏滯性分別為極限值，該第三黏滯性為極小值、該第五 黏滯性為極大值；該第二黏滯性鄰近該第三黏滯性。

其中，包括第二金屬的該導電電極設在各該微半導體結構上，設在各該 微半導體結構的該導電電極對應至設在該目標襯底的該導電墊片；其中，該 第一金屬、第二金屬之間定義有共晶溫度，該共晶溫度介于該第三溫度、第 四溫度之間。

其中，包括對這些陣列式微半導體結構、該高分子材料、與該目標襯底， 由該第一溫度開始增溫至該第四溫度，并依序執行下列步驟：