[發(fā)明專利]一種耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011514926.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112420878B | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段加龍;徐亞峰;唐群委 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 暨南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0445 |
| 代理公司: | 青島合創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37264 | 代理人: | 王曉曉 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 耐高溫 柔性 透明 電極 無機(jī) cspbbr3 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)、剝離云母片;
(2)、配制In(NO3)3乙二醇甲醚溶液,再加入SnCl4;
(3)、將步驟(2)中制備的溶液涂到剝離后的云母片上烘干,然后在氮?dú)猸h(huán)境中煅燒,冷卻后取出;所述烘干的環(huán)境為空氣環(huán)境,溫度為60~100攝氏度,加熱時(shí)間為1~5分鐘,煅燒溫度為400~500攝氏度,煅燒時(shí)間為20~40分鐘;
(4)、重復(fù)步驟(3),獲得導(dǎo)電透明的云母/ITO薄膜,即為耐高溫柔性透明電極;
(5)、配置氧化鈦納米晶反應(yīng)前驅(qū)液;
(6)、將步驟(5)中配制的氧化鈦納米晶反應(yīng)前驅(qū)液密封加熱;所述加熱溫度為80~100攝氏度,加熱時(shí)間為6~24小時(shí);
(7)、將步驟(6)中加熱后的反應(yīng)液取出高速離心,得到二氧化鈦沉淀,將其分散在三氯甲烷甲醇混合溶液中;
(8)、將步驟(7)中制備的二氧化鈦分散液涂在所述步驟(4)獲得的云母/ITO導(dǎo)電薄膜上,在空氣環(huán)境中加熱,形成二氧化鈦薄膜;
(9)、分別配制溴化鉛溶液和溴化銫溶液;
(10)、將步驟(9)制備的溴化鉛溶液涂在步驟(8)制備的二氧化鈦薄膜表面后加熱;
(11)、將步驟(9)制備的溴化銫溶液涂在步驟(10)中制備的二氧化鈦/溴化鉛薄膜表面后加熱;
(12)、重復(fù)步驟(11),制備得到高純的無機(jī)鈣鈦礦層;
(13)、在步驟(12)制備的鈣鈦礦層表面加碳漿料,之后加熱烘干,組裝成柔性全無機(jī)鈣鈦礦CsPbBr3太陽能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中所用的云母片為柔性導(dǎo)電云母片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中的In(NO3)3乙二醇甲醚溶液的濃度為0 .2~0 .4mol/L,銦錫摩爾比為8:1~10:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(5)中的氧化鈦納米晶反應(yīng)前驅(qū)液中摻雜銻元素,所述銻元素的摩爾含量為四氯化鈦的0 .25~1%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(9)中溴化鉛溶液濃度為1~2 mol/L,溴化銫溶液的濃度為0 .05~0.1 mol/L。
6.權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法中制得的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫柔性透明電極的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池的制備方法在制備光伏電池中的應(yīng)用。
8.權(quán)利要求6所述的全無機(jī)CsPbBr3鈣鈦礦太陽能電池在制備電池組件中的應(yīng)用。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





