[發明專利]一種晶圓快速定位裝置及方法有效
| 申請號: | 202011512293.3 | 申請日: | 2020-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN112720119B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | 許劍鋒;張建國;鄭正鼎;汪凱;陳肖;肖峻峰 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | B24B7/22 | 分類號: | B24B7/22;B24B41/06;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 武漢華之喻知識產權代理有限公司 42267 | 代理人: | 張彩錦;梁鵬 |
| 地址: | 430074 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 定位 裝置 方法 | ||
1.一種晶圓快速定位裝置,其特征在于,包括旋轉動力單元、真空吸附單元和定位環(4),其中:
所述真空吸附單元安裝在所述旋轉動力單元上,并可由旋轉動力單元帶動旋轉,其包括真空吸盤(3)以及與該真空吸盤(3)相連的真空發生器(1),所述真空吸盤(3)上開設有若干個均勻分布的吸附孔(6);所述真空吸盤(3)呈階梯圓柱形,其大端與所述旋轉動力單元相連,所述吸附孔(6)開設在真空吸盤(3)的小端上;
所述定位環(4)套裝在真空吸盤(3)的外部且覆蓋部分吸附孔(6),以此通過真空發生器(1)的作用將定位環(4)吸附在真空吸盤(3)上,并且該定位環(4)的內徑與待定位晶圓的外徑相適應,以此實現晶圓的快速準確定位;
所述定位環(4)為分體式結構,其由兩個結構相同的半圓環結構組合而成,所述半圓環結構的內壁與真空吸盤小端的側壁過盈配合,該半圓環結構上還設置有沿其徑向延伸的環形凸臺,該環形凸臺與真空吸盤小端的上表面貼合,且其內徑與晶圓的外徑相等。
2.如權利要求1所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述真空吸盤(3)的大端通過管道與所述真空發生器(1)連通,所述吸附孔(6)與所述管道導通,所述真空吸盤(3)大端上還開設有用于安裝質量塊的孔。
3.如權利要求1所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述吸附孔(6)以真空吸盤(3)的中心為圓心呈環形分布,且設計時滿足如下條件:晶圓的半徑比其覆蓋的吸附孔區域的半徑大0.5mm以上。
4.如權利要求1所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述吸附孔(6)的直徑設計為2mm~3mm。
5.如權利要求1所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述真空吸盤(3)由不銹鋼制成,所述定位環(4)由鈦合金制成。
6.如權利要求1所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述旋轉動力單元包括主軸電機(203)以及與其相連的旋轉主軸(202),所述真空發生器(1)安裝在所述主軸電機(203)上,所述真空吸盤(3)安裝在所述旋轉主軸(202)上。
7.如權利要求1-6任一項所述的晶圓快速定位裝置,其特征在于,所述旋轉動力單元外部還設置有基座(201)。
8.一種晶圓快速定位方法,其特征在于,采用如權利要求1-7任一項所述的定位裝置實現,其包括如下步驟:
(1)將定位環安裝在真空吸盤上,使定位環與真空吸盤的端面和周面緊密接觸;
(2)將晶圓放置在定位環內,使晶圓與定位環的環壁緊密接觸,同時啟動真空發生器進行低真空吸附,以將晶圓吸附在真空吸盤的表面;
(3)將定位環從垂直于主軸的方向取下,同時利用真空發生器進行高真空吸附,以此實現晶圓在真空吸盤上的定位。
9.如權利要求8所述的晶圓快速定位方法,其特征在于,低真空吸附時壓強為-12psi~-20psi,高真空吸附時壓強為-25psi~-30psi。
10.如權利要求8所述的晶圓快速定位方法,其特征在于,低真空吸附時壓強為-16psi,高真空吸附時壓強為-27psi。
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