[發(fā)明專利]使用結(jié)合至帶有陷阱富集層的高電阻率硅襯底的壓電薄膜的濾波器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011510981.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113014224A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 帕特里克·特納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 諧振公司
• 主分類號(hào): H03H9/56
• 分類號(hào): H03H9/56
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 董科

1.一種聲學(xué)諧振器裝置，包括：

一襯底，具有與一表面相鄰的陷阱富集區(qū)；

一單晶壓電板，具有平行的正面和背面，除了形成隔膜的壓電板部分外，其中，所述隔膜跨越在所述襯底中形成的空腔，所述背面附接到所述襯底的表面；和

一叉指式換能器(IDT)，其在所述單晶壓電板的所述正面上形成，使得IDT的交錯(cuò)的指狀物設(shè)置在所述隔膜上，所述單晶壓電板和所述IDT配置成使得施加到IDT上的射頻信號(hào)激發(fā)所述隔膜內(nèi)的一剪切主要聲模。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述隔膜圍繞所述空腔的周邊的至少50％處與所述壓電板鄰接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述襯底包括單晶硅板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是所述硅板的一部分，所述硅板的該部分進(jìn)行了輻照，以在所述晶體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是所述硅板的包含深陷阱雜質(zhì)的一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是在所述硅板的表面上形成的一層陷阱富集材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述陷阱富集材料是非晶硅或多晶硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)的深度大于在不存在所述陷阱富集區(qū)的情況下在所述襯底中形成的反型層的深度。

9.一種濾波器裝置，包括：

一襯底，具有與一表面相鄰的陷阱富集區(qū)；

一單晶壓電板，具有平行的正面和背面，所述背面附接到所述襯底的表面上，所述單晶壓電板的一部分形成跨越所述襯底中的各個(gè)空腔的一個(gè)或多個(gè)隔膜；和

一導(dǎo)體圖案，在所述正面上形成，所述導(dǎo)體圖案包括相應(yīng)的多個(gè)聲學(xué)諧振器的多個(gè)叉指式換能器(IDT)，所述多個(gè)IDT中的每個(gè)IDT的交錯(cuò)的指狀物設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)隔膜的其中一個(gè)上，其中

所述單晶壓電板和所有IDT配置成使得施加到每個(gè)IDT上的相應(yīng)的射頻信號(hào)激發(fā)相應(yīng)隔膜內(nèi)的相應(yīng)剪切主要聲模。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波器裝置，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)隔膜中的每個(gè)隔膜圍繞所述相應(yīng)空腔的周邊的至少50％處與所述壓電板鄰接。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波器裝置，其特征在于，所述襯底包括單晶硅板。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是所述硅板的一部分，所述硅板的該部分進(jìn)行了輻照，以在所述晶體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是所述硅板的包含深陷阱雜質(zhì)的一部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)是在所述硅板的表面上形成的一層陷阱富集材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濾波器裝置，其特征在于，所述陷阱富集材料是非晶硅或多晶硅。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濾波器裝置，其特征在于，所述陷阱富集區(qū)的深度大于在不存在所述陷阱富集區(qū)的情況下在所述襯底中形成的反型層的深度。