[發明專利]含氰基吡啶化合物以及包含其的電激發光裝置

在審

• 申請號: 202011510063.3
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN114644617A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 鄭建鴻;陳怡寬;賈亞庫馬
• 申請（專利權）人: 鄭建鴻
• 主分類號: C07D401/10
• 分類號: C07D401/10;C07D213/85;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;劉芳

一種由化學式1所表示的含氰基吡啶化合物以及包含其的電激發光裝置。在化學式1中，R₁至R₃、Ar₁及Ar₂與具體實施方式中所述相同。[化學式1]

技術領域

本發明是涉及一種化合物，尤其涉及一種含氰基吡啶化合物以及包含其的電激發光裝置。

背景技術

傳統熒光材料可作為有機發光二極管(OLED)組件中的發光體。由于自旋選擇定則(spin selection rule)，激發子的使用比例低，此造成發光組件的發光效率不足。而目前的磷光材料通過引入貴重金屬，以增加自旋軌域耦合作用(Spin-Orbital Coupling，SOC)，進而使得發光組件的發光效率提升。然而，由于所引入的貴重金屬(例如銥、鉑)成本高，因此發光組件的制作成本亦提高，不利于商業應用。

熱活化延遲熒光(thermally activated delayed fluorescence，TADF)材料的開發為近年熱門的研究領域，其中TADF材料同時具備高發光效率和低成本的優點。而使發光分子擁有熱活化延遲熒光性質的關鍵在于縮小最低單重激發態(S₁)和最低三重激發態(T₁)之間的能量差(ΔE_ST)。當ΔE_ST夠小，吸熱的逆系統間跨越(Reverse IntersystemCrossing,RISC)可經由環境的熱活化刺激而發生，并在電激發的過程中同時捕獲25％的單重激發子和75％的三重激發子，進而達到100％的內部量子效率。

然而，過小的ΔE_ST會使得激發態與基態之間的躍遷能力降低，并增加非輻射路徑的發生，進而降低發光量子效率(Photoluminescence Quantum Yield,PLQY)。因此，發光分子的結構設計決定了材料的放光特性。

此外，典型的TADF材料的延遲熒光生命期(Delayed Fluorescence lifetime)較長，約為數十至數百微秒(microsecond)，而處在高能量的激發子容易發生焠熄，此限制了發光組件于高亮度下的效率表現和操作穩定度，因此降低了典型的TADF材料應用于電激發光裝置的可靠性和壽命表現。

發明內容

本發明提供一種含氰基吡啶化合物，其能夠實現具有高發光效率的電激發光組件。

本發明提供一種含氰基吡啶化合物，由下列化學式1所表示：

[化學式1]

在化學式1中，

Ar₁與Ar₂可相同或不同，且各自獨立為經取代或未經取代的芳基或經取代或未經取代的雜芳基；

R₁與R₂可相同或不同，且各自獨立為經取代或未經取代的烷基；以及

R₃為含氮基團。

在本發明的一實施例中，R₃由以下結構中選出的任一者：

在本發明的一實施例中，Ar₁與Ar₂各自獨立為由以下結構中選出的任一者：

在本發明的一實施例中，R₁與R₂各自獨立為甲基、乙基或丙基。

在本發明的一實施例中，上述的含氰基吡啶化合物由以下結構式中選出的任一者：