[發明專利]一種基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法在審
| 申請號: | 202011509710.9 | 申請日: | 2020-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN112506712A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 馬麗;宋瑞芳;徐晶晶;尹家驊 | 申請(專利權)人: | 浙江阿爾法汽車技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/14 | 分類號: | G06F11/14 |
| 代理公司: | 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 廖銀洪 |
| 地址: | 314599 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 硬拷貝 mcu 模擬 eeprom 數據 保護 方法 | ||
1.一種基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:所述方法包括以下步驟:
步驟S1:在Flash定義一段內存區域用于NVM數據的硬拷貝;
步驟S2:上電初始化時先判斷NVM的狀態是否存在異常;若存在異常,則進入步驟S21;若不存在異常,則進入步驟S3;
步驟S21:判斷NVM能否進行自恢復;若能進行自恢復,則進入步驟S3;若不能進行自恢復,則需要對NVM進行擦除操作;
步驟S3:判斷NVM是否進行過寫訪問操作;若進行過寫訪問操作,則將NVM中的數據作為NVM的初始化數據;若沒進行過寫訪問操作,則將硬拷貝Flash中的數據作為NVM的初始化數據;
步驟S4:判斷NVM初始化數據和硬拷貝Flash數據是否一致;若一致,則進入步驟S5;若不一致,則進入步驟S41;
步驟S41:擦除硬拷貝Flash中的數據,并將NVM初始化數據拷貝到硬拷貝Flash中;
步驟S5:分別對NVM初始化數據和硬拷貝Flash數據進行CRC校驗;若校驗通過,則進行下一步;若校驗不通過,則進入步驟S41。
2.根據權利要求1所述的基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:所述步驟S1中的內存區域需具有可讀、可擦、可寫功能。
3.根據權利要求1所述的基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:在程序運行過程中,當檢測到NVM異常,不需要立即對NVM進行異常處理。
4.根據權利要求1所述的基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:在下電過程中,滿足下電條件時計時器開始計時,若NVM存儲失敗,則強制下電。
5.根據權利要求1所述的基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:在使用BootLoader進行更新應用程序過程中,在進入刷寫模式前判斷NVM中的數據和硬拷貝Flash中的數據是否一致;若不一致,將NVM中的數據拷貝到硬拷貝Flash中并擦除NVM,待APP更新完成后,將硬拷貝Flash中的數據寫入到NVM中。
6.根據權利要求4所述的基于硬拷貝的MCU模擬EEPROM的數據保護方法,其特征在于:當所述計時器計時小于10s且NVM數據存儲完成,進行正常下電;當計時器計時大于等于10s時,若NVM數據存儲仍未完成,則做強制下電處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江阿爾法汽車技術有限公司,未經浙江阿爾法汽車技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011509710.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:全息激光發射器及其制造方法
- 下一篇:一種企業管理咨詢業務用宣傳裝置





