[發(fā)明專利]一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011509093.2 | 申請日: | 2020-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN112635584A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王吉應(yīng);劉寬菲;馬林;任宇航 | 申請(專利權(quán))人: | 尚越光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州知見專利代理有限公司 33295 | 代理人: | 趙越劍 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超薄 不銹鋼 柔性 襯底 銅銦鎵硒 太陽能電池 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極,包括超薄不銹鋼柔性襯底,其特征在于,超薄不銹鋼柔性襯底的正面上設(shè)有阻隔層,阻隔層上設(shè)有正面Mo薄膜,超薄不銹鋼柔性襯底的底面上設(shè)有背面Mo薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極,其特征在于,所述超薄不銹鋼柔性襯底的厚度小于50μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極,其特征在于,所述正面Mo薄膜由內(nèi)至外由低壓Mo層、中壓Mo層和高壓Mo層組成,正面Mo薄膜的總厚度為400-600nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極,其特征在于,所述阻隔層的厚度為50-200nm;所述阻隔層材料為Cr、TiO2、Al2O3、ZrO、TiN中的一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極,其特征在于,所述背面Mo薄膜的厚度為100-400nm。
6.如權(quán)利要求1所述的一種超薄不銹鋼柔性襯底銅銦鎵硒太陽能電池背電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)制備背面Mo薄膜:將超薄不銹鋼柔性襯底放入磁控濺射腔中,腔內(nèi)真空度小于5×10-6Torr;將超薄不銹鋼柔性襯底加熱至200±10℃,開始在襯底背面濺射Mo薄膜,濺射功率為7.5±0.5kW,濺射氣壓為5-20mTorr,氣體為純氬氣,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-2m/min;
(2)制備阻隔層:通過機(jī)械滾軸調(diào)整濺射卷面方向,使襯底正面作為濺射面,將襯底溫度冷卻至75±5℃,開始襯底正面濺射阻隔層,濺射功率為7.5±0.5kW,濺射氣壓為5-20mTorr,氣體為純氬氣,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-2m/min;
(3)制備正面Mo薄膜:采用逐步提升濺射氣壓的方法在阻隔層上濺射正面Mo薄膜,濺射功率為7.5±0.5kW,依次通過三個(gè)鉬靶濺射區(qū),三個(gè)鉬靶濺射區(qū)的濺射氣壓逐步增大,氣體為純氬氣,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-2m/min。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,三個(gè)Mo靶濺射區(qū)分別為低壓濺射區(qū)、中壓濺射區(qū)和高壓濺射區(qū),低壓濺射區(qū)氣壓為1-10mTorr,中壓濺射區(qū)氣壓為5-15mTorr,高壓濺射區(qū)氣壓為8-20mTorr。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,低壓濺射區(qū)氣壓為1-5mTorr,中壓濺射區(qū)氣壓為5-10mTorr,高壓濺射區(qū)氣壓為8-15mTorr,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-1m/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,腔內(nèi)真空度小于2.5×10-6Torr,濺射氣壓為5-10mTorr,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-1m/min。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,濺射氣壓為5-10mTorr,超薄不銹鋼柔性襯底走速為0.5-1m/min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





