[發明專利]半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011508882.4
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112687585A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 劉晶晶;李世凱
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室、控制器及檢測器；

所述工藝腔室內設置有承載組件，所述承載組件包括承載座及驅動結構，所述承載座可旋轉的設置于所述驅動結構上，用于承載待加工件，所述承載座的外周設置有檢測部；所述驅動結構用于驅動所述承載座旋轉；

所述檢測器設置于所述工藝腔室上，用于檢測所述檢測部；

所述控制器用于基于所述檢測器在單位時間內檢測到所述檢測部的次數，確定所述承載座的實際轉速。

2.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述工藝腔室包括工藝管和端蓋，兩個所述端蓋分別設置于所述工藝管兩端，用于封閉所述工藝管，并且至少一個所述端蓋的外側設置有所述檢測器。

3.如權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，至少一個所述端蓋上設置有用于傳輸待加工件的傳輸口，所述檢測器設置于所述傳輸口長度方向的一側。

4.如權利要求3所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述檢測部凹設于所述承載座的外周，所述檢測器朝向所述承載座的周緣內側設置，所述檢測器中心在所述端蓋上的投影與所述承載座中心在所述端蓋上的投影之間具有一預設間距，所述預設間距小于所述承載座的半徑。

5.如權利要求4所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述承載座的半徑與所述預設間距的差值小于等于5毫米。

6.如權利要求4所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述檢測部包括形成于所述承載座外周的多個凹槽，多個所述凹槽沿所述承載座的周向均勻且間隔分布。

7.如權利要求3所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述檢測器為激光測距器，所述傳輸口長度方向的一側設置有透光部，所述激光測距器通過一支架設置于所述透光部外側。

8.如權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述支架包括連接段、中間段及承載段，所述連接段與所述端蓋連接，并且位于所述透光部一側；所述承載段遠離所述透光部，與所述透光部相對設置，所述激光測距器設置在所述承載段上；所述中間段分別與所述連接段和所述承載段連接。

9.如權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述透光部包括石英材質的透明板，所述端蓋上對應地開設有安裝孔，所述透明板密封地設置在所述安裝孔中。

10.如權利要求1至9的任一所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述控制器還用于獲取所述檢測器檢測到的所述實際轉速，并且根據所述實際轉速與目標轉速的差異控制所述驅動結構調節所述承載座的旋轉速度。