[發明專利]一種具有POI結構的蘭姆波諧振器

在審

• 申請號: 202011508678.2
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112702037A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 李紅浪;許欣;柯亞兵
• 申請（專利權）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 蔡悅

1.一種具有POI結構的蘭姆波諧振器，所述蘭姆波諧振器包括：

高聲速材料襯底；以及

位于所述高聲速材料襯底上方的壓電層，所述壓電層的上表面和下表面上分別設置有第一和第二叉指換能器，其中所述第一和第二叉指換能器的叉指電極隔著所述壓電層在層疊方向上彼此相對，且具有相同的電極寬度、電極厚度、電極間距以及激發聲波波長λ，所述叉指電極均埋入所述壓電層，其中

所述壓電層的材料為切角為θ的YX-LiNbO₃，其中30°≤θ≤60°，并且所述壓電層的厚度t為0.3λ－0.6λ。

2.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述切角θ和所述壓電層的厚度t的取值分別為以下組合中的一種：

θ＝30°、50°或60°，t＝0.6λ；

θ＝35°，t＝0.3λ－0.4λ或0.6λ；

40°≤θ≤45°，t＝0.3λ－0.6λ；以及

θ＝55°，t＝0.5λ－0.6λ。

3.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述切角θ和所述壓電層的厚度t的取值分別為以下組合中的一種：

θ＝35°，t＝0.3λ－0.4λ；

θ＝50°，t＝0.6λ；

θ＝55°，t＝0.6λ；以及

θ＝60°，t＝0.6λ。

4.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高聲速材料為4H-SiC、3C-SiC或6H-SiC。

5.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述蘭姆波諧振器進一步包括：設置在所述高聲速材料襯底和所述壓電層之間的低聲速材料介質層。

6.如權利要求5所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述低聲速材料為SiO₂，厚度為0.075λ－0.1λ。

7.如權利要求5所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，在所述壓電層的與所述高聲速材料襯底相對的另一側表面上鍍有一層介質層材料。

8.如權利要求7所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述介質層材料為SiO₂或SiN，厚度為0.05λ－0.1λ。

9.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述波長λ為2μm。

10.如權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高聲速材料襯底的厚度為5λ，所述電極寬度為0.25λ，所述電極間距為0.25λ，并且所述電極厚度為200nm。