[發明專利]標記碼識別裝置、方法及硅片分選設備、電池片生產設備在審
| 申請號: | 202011508645.8 | 申請日: | 2020-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN112509948A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 李文;王美;邵旭旭 | 申請(專利權)人: | 無錫奧特維科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陸一;孫際德 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 標記 識別 裝置 方法 硅片 分選 設備 電池 生產 | ||
本申請揭示了一種標記碼識別裝置、方法及硅片分選設備、電池片生產設備,該裝置包括安裝支架、拍攝設備和光源,所述拍攝設備和所述光源安裝于所述安裝支架上,所述光源位于所述拍攝設備和待測片體之間,所述待測片體上形成有由凹坑組成的標記碼,所述待測片體上的標記碼在所述待測片體移動過程中至少經過所述拍攝設備的拍攝視野內,所述光源向所述待測片體的標記碼提供入射光,所述光源的入射光與所述待測片體表面之間的夾角為0~30°。本申請通過設置低角度的光源,光源的入射光在經過待測片體表面反射至拍攝設備時,待測片體上的標記碼與背景區域有較為明顯的區別,提高了對標記碼進行解碼時的準確度。
技術領域
本申請屬于電池片生產技術領域,涉及一種標記碼識別裝置、方法及硅片分選設備、電池片生產設備。
背景技術
當前我國光伏產業正在從粗放式發展方向精細化發展邁進,對光伏電池的質量要求也越來越高。為了提高從硅片端到電池端的生產質量,會采用二維碼或條形碼等標記對硅片進行標記,從硅片端到電池端的生產都能夠全程進行監控。
在對標記進行解碼時,首先需要采集到包含標記的圖像,然后對圖像中的標記進行識別和解碼。但是目前在對標記進行識別和解碼的時候,解碼準確度不高,影響生產效率。
發明內容
為了解決相關技術中對標記進行解碼時準確度不高的問題,本申請提供了一種標記碼識別裝置、方法及硅片分選設備、電池片生產設備,技術方案如下:
第一方面,本申請提供了一種標記碼識別裝置,所述標記碼識別裝置包括安裝支架、拍攝設備和光源,所述拍攝設備和所述光源安裝于所述安裝支架上,所述光源位于所述拍攝設備和待測片體之間,所述待測片體上形成有由凹坑組成的標記碼,所述待測片體上的標記碼在所述待測片體移動過程中至少經過所述拍攝設備的拍攝視野內,所述光源向所述待測片體的標記碼提供入射光,所述光源的入射光與所述待測片體表面之間的夾角為0~30°。
可選的,所述光源在所述待測片體上形成的光斑區域外包于所述待測片體上的標記碼。
可選的,所述拍攝設備包括相機和鏡頭,所述鏡頭安裝于所述相機上,所述相機安裝于所述安裝支架上,所述鏡頭的拍攝視野正對所述待測片體的標記碼。
可選的,所述光源的入射光經所述標記碼凹坑邊緣處的熔面被反射至所述拍攝設備的鏡頭內。
可選的,所述拍攝設備的拍攝視野與所述光源的中心相對。
可選的,所述凹坑的深度為0~28um,所述光源的入射光與所述待測片體表面之間的夾角為0~20°。
可選的,所述凹坑的深度為0~15um,所述光源的入射光與所述待測片體表面之間的夾角為0~15°。
可選的,所述凹坑的深度為0~10um,所述光源的入射光與所述待測片體表面之間的夾角為0~10°
第二方面,本申請還提供了一種硅片分選設備,所述硅片分選設備包括檢測裝置和如第一方面以及第一方面各種可選方式中提供的標記碼識別裝置,所述待測片體為硅片,所述檢測裝置包括外觀檢測裝置、隱裂檢測裝置、厚度檢測裝置、臟污檢測裝置和孔洞檢測裝置中的至少一種,所述標記碼識別裝置安裝于所述檢測裝置中需要進行標記碼識別工位處,以對硅片上的標記碼進行識別。
第三方面,本申請還提供了一種電池片生產設備,所述電池片生產設備用于按照預定工序將硅片加工形成電池片,所述電池片生產設備包括電池片生產加工裝置和安裝在所述電池片生產加工裝置中需要進行標記碼識別工位處的標記碼識別裝置,所述標記碼識別裝置如第一方面以及第一方面各種可選方式中提供的標記碼識別裝置,所述待測片體為生產加工過程中的電池片。
第四方面,本申請還提供了一種標記碼識別方法,采用如第一方面以及第一方面各種可選方式中提供的標記碼識別裝置,所述標記碼識別方法包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





