[發明專利]一種高頻近零頻率溫度系數的窄帶濾波器及制造方法

在審

• 申請號: 202011508296.X
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112600531A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 李紅浪;許欣;柯亞兵
• 申請（專利權）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H9/56
• 分類號: H03H9/56;H03H3/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 蔡悅

1.一種近零頻率溫度系數的窄帶濾波器，包括：

高聲速材料襯底層；

形成在所述高聲速材料襯底層之上的LGS低聲速材料層，所述LGS低聲速材料層的歐拉角為(90°,90°,40°)，厚度為mλ，其中1.4≤m≤1.6；

形成在所述LGS低聲速材料層之上的具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層，所述具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層的厚度為0.1λ；以及

設在所述具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層上的電極，

其中，λ是所述電極激發的聲波波長。

2.如權利要求1所述的窄帶濾波器，其特征在于，進一步包括更多層交替疊加的所述高聲速材料襯底層和所述LGS低聲速材料層，所述具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層形成在最上層LGS低聲速材料層之上。

3.如權利要求2所述的窄帶濾波器，其特征在于，所述高聲速材料襯底層和所述LGS低聲速材料層各自的層數為n，n為2－9的整數。

4.如權利要求1所述的窄帶濾波器，其特征在于，所述高聲速材料襯底層的高聲速材料選自Si、SiN、SiON、3C-SiC、W、4H-SiC或6H-SiC中的至少一種，厚度為5λ－10λ，所述LGS低聲速材料層通過采用PECVD、CVD、MOCVD、MBE之一的方式鍍在所述高聲速材料襯底層上。

5.如權利要求1所述的窄帶濾波器，其特征在于，所述電極為IDT電極，由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Mo和Ni之一、或其合金、或其層疊體構成。

6.如權利要求5所述的窄帶濾波器，其特征在于，所述電極為上下雙層電極。

7.如權利要求5所述的窄帶濾波器，其特征在于，所述電極的占空比為0.4－0.6。

8.一種用于制造近零頻率溫度系數的窄帶濾波器的方法，包括：

提供高聲速材料襯底層；

在所述高聲速材料襯底層上鍍LGS低聲速材料層，所述LGS低聲速材料層的歐拉角為(90°,90°,40°)，厚度為mλ，其中1.4≤m≤1.6；

在LGS低聲速材料層之上形成具有c軸取向單晶AlN高聲速材料壓電層，所述具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層的厚度為0.1λ；以及

在所述具有c軸取向的單晶AlN高聲速材料壓電層上的形成IDT電極，

其中，λ是所述IDT電極激發的聲波波長。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述高聲速材料襯底層上鍍LGS低聲速材料層是采用PECVD、CVD、MOCVD、MBE之一的方式實現的，所述高聲速材料襯底層厚度5λ－10λ。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述IDT電極由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Mo和Ni之一、或其合金、或其層疊體構成。