[發明專利]一種基于POI結構的高性能聲表面波諧振器及制造方法在審
| 申請號： | 202011508066.3 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112737543A | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發明（設計）人： | 李紅浪;許欣;柯亞兵;李陽 | 申請（專利權）人： | 廣東廣納芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/25 | 分類號： | H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悅 |
| 地址： | 510700 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 poi 結構 性能 表面波 諧振器 制造 方法 | ||
1.一種聲表面波諧振器，包括：
由高聲速材料的襯底層和形成在所述襯底層上的低聲速材料層構成的至少一層布拉格反射層，所述襯底層厚度5λ，所述低聲速材料為歐拉角(90°,90°,0°)厚度為0.1λ的LGS，所述襯底層的聲速是所述低聲速材料層的聲速的三倍以上；
形成在所述低聲速材料層之上的單晶36°YX LiTaO3的厚度為0.5λ的壓電層；以及
設在所述壓電層上的電極，電極占空比為0.5－0.6，
其中，λ是所述電極激發的聲波波長。
2.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述布拉格反射層的層數n為1－10，為n層襯底層和n層低聲速材料層交替層疊而成，所述壓電層形成在最上層布拉格反射層的低聲速材料層之上。
3.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述襯底層的高聲速材料選自AlN、Al2O3、SiC、金剛石、W中的至少一種，所述低聲速材料層通過采用PECVD、CVD、PVD、MOCVD、MBE之一的方式鍍在所述襯底層上。
4.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述電極為IDT電極，是Ti、Mo、Al的層疊體，其中底層為Ti、中間層為Mo、頂層為Al。
5.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述電極完全埋入壓電層。
6.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述電極不埋入壓電層。
7.如權利要求4所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述電極厚度為180nm，電極沿孔徑長度10λ，電極指對數為1000對。
8.一種用于制造聲表面波諧振器的方法，包括：
提供厚度5λ的高聲速材料的襯底層；
在所述襯底層上鍍厚度為0.1λ歐拉角(90°,90°,0°)的低聲速材料LGS，形成低聲速材料層；
在所述低聲速材料層之上形成單晶36°YX LiTaO3的厚度為0.5λ的高聲速材料的壓電層；以及
在所述壓電層上的形成IDT電極，
其中，λ是所述IDT電極激發的聲波波長。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述襯底層上鍍LGS是采用PECVD、CVD、MOCVD、MBE之一的方式實現的，提供襯底層并鍍LGS的步驟重復進行多次，以形成n層襯底層和n層交替疊加，n不超過10。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述IDT電極由Ti、Mo、Al依次層疊構成，其中底層為Ti、中間層為Mo、頂層為Al。
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