[發明專利]一種GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法及器件在審
| 申請號： | 202011506761.6 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112635555A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 李亦衡;武樂可;夏遠洋;黃克強;朱友華;朱廷剛 | 申請（專利權）人： | 江蘇能華微電子科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 王樺 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市張家*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan hemt 器件 選擇性 去除 方法 | ||
1.一種GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1：
（1）、形成外延結構：在基層上生長緩沖層，在緩沖層上生長溝道層，在溝道層上生長勢壘層，在勢壘層上生長p-GaN層，
（2）、在p-GaN層上沉積鈍化層，
步驟2：
對鈍化層進行蝕刻，僅保留用于形成柵極的p-GaN區域上方的鈍化區域，
步驟3：
對p-GaN層的進行熱分解，直至除p-GaN區域以外的所有p-GaN層完全去除。
2. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：在步驟2后、步驟3前，先對除p-GaN區域以外的所有p-GaN層進行蝕刻，保留p-GaN層的厚度在5?25nm之間。
3. 根據權利要求1或2所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：所述的p-GaN層生長的厚度為50-200nm。
4. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：在步驟3中：對p-GaN層熱分解的溫度大于600℃。
5. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：在步驟3中：在真空或氫氣或氮氣或氮氫混合氣的氛圍下對p-GaN層的進行熱分解。
6. 根據權利要求1或5所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：在步驟3中：采用管式爐或RTP工具或MOCVD室對p-GaN層的進行熱分解。
7. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：在步驟3中：通過輪廓儀或AFM掃描來測量p-GaN區域的高度，以確認已完全去除p-GaN層。
8. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：所述的緩沖層為GaN或AlGaN層，所述的溝道層為GaN層，所述的勢壘層為AlGaN層。
9. 根據權利要求1所述的GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法，其特征在于：所述的鈍化層為SiO2或SiN。
10. 一種器件，其特征在于：其包括權利要求1至9中任意一項權利要求所述的GaNHEMT器件中選擇性去除GaN的方法形成的結構。
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