[發(fā)明專利]一種阻變存儲器陣列的兩步寫操作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011506701.4 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112489709B | 公開（公告）日： | 2022-12-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳華強;李雨佳;唐建石;高濱;錢鶴 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 存儲器 陣列 兩步寫 操作方法 | ||
1.一種阻變存儲器陣列的兩步寫操作方法，其特征在于，包括以下步驟：
令阻變存儲器陣列中選通器和阻變存儲器的初始狀態(tài)均處于高阻態(tài)；
對阻變存儲器陣列施加第一寫脈沖信號，使選通器處于低阻態(tài)、阻變存儲器保持高阻態(tài)；
對阻變存儲器陣列施加第二寫脈沖信號，使選通器保持低阻態(tài)、阻變存儲器處于低阻態(tài)；
將第二寫脈沖信號的幅值降為零，使選通器處于高阻態(tài)、阻變存儲器處于低阻態(tài)，寫操作完成；
其中，所述第一寫脈沖信號的幅值V1和脈沖長度PW1分別為正向開啟選通器所需電壓和脈沖長度，所述第二寫脈沖信號的幅值V2和脈沖長度PW2分別為阻變存儲器寫操作所需電壓和脈沖長度，且各參數(shù)同時滿足以下要求：(a)V2VsetV1Vth，(b)PW1td，(c)PW2tset；Vset和Vth分別為阻變存儲器可以被寫操作的最小電壓和選通器正向開啟的閾值電壓，td和tset分別為選通器正向開啟延遲和阻變存儲器寫入延遲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩步寫操作方法，其特征在于，還包括以下步驟：
對阻變存儲器陣列施加第一重置脈沖信號，使選通器處于低阻態(tài)、阻變存儲器保持低阻態(tài)；
對阻變存儲器陣列施加第二重置脈沖信號，使選通器保持低阻態(tài)、阻變存儲器處于高阻態(tài)；
將第二重置脈沖信號的幅值降為零，使選通器和阻變存儲器均處于高阻態(tài)，重置操作完成；
其中，所述第一重置脈沖信號的幅值-V1和脈沖長度PWn1分別為反向開啟選通器所需電壓和脈沖長度，所述第二重置脈沖信號的幅值-V2和脈沖長度PWn2分別為阻變存儲器重置操作所需電壓和脈沖長度，且各參數(shù)同時滿足以下要求：(d)-V2Vreset-V1-Vth，(e)PWn1tnd，(f)PWn2treset；Vreset和-Vth是阻變存儲器可以被重置的最小電壓和選通器反向開啟的閾值電壓，tnd和treset分別為選通器反向開啟延遲和阻變存儲器重置延遲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的兩步寫操作方法，其特征在于，當阻變存儲器陣列中選通器和阻變存儲器均處于高阻態(tài)時，阻變存儲器的阻值遠大于選通器的阻值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的兩步寫操作方法，其特征在于，所述阻變存儲器陣列包括交叉排布的若干條字線和位線，在位線和字線的每個交叉點處設(shè)置一個存儲單元，該存儲單元包括相連接的一個選通器和一個阻變存儲器。
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