[發明專利]二維過渡金屬硫族化合物納米片半金屬特性的調控方法

在審

• 申請號: 202011506458.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112694127A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 張躍;高麗;張錚;廖慶亮
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C01G39/06
• 分類號: C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00;C01B19/04
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.一種二維過渡金屬硫族化合物納米片半金屬特性的調控方法，其特征在于，所述方法的具體步驟為：

S1)將二維過渡金屬硫族化合物納米片轉移到基底上，備用；

S2)配置弱氧化性氣體或液體，備用；

S3)將S1)得到二維過渡金屬硫族化合物納米片的基底置于S2)配置的弱氧化性氣體或者液體環境中進行誘導反應，靜置，清洗，吹干，得到具有穩定半金屬特性的二維過渡金屬硫族化合物納米片。

2.根據權利要求1所述的調控方法，其特征在于，所述S1)的具體步驟為：

S1.1)利用化學氣相沉積法、微機械剝離法、化學液相插層法或物理氣相沉積法制備單層或少層的二維過渡金屬硫族化合物納米片；

S1.2)采用濕法轉移或干法轉移方法將S1.1)得到單層或少層的二維過渡金屬硫族化合物納米片轉移到基底上。

3.根據權利要求2所述的調控方法，其特征在于，所述基底為SiO₂/Si、云母、石英或PET。

4.根據權利要求2所述的調控方法，其特征在于，所述S2)中弱氧化性氣體的體積分數為：10％-80％；所述弱氧化性液體的質量百分濃度為5-50％。

5.根據權利要求4所述的調控方法，其特征在于，所述弱氧化性氣體包括：空氣、氧氣、氯氣、一氧化氮氣體和二氧化氮氣體；

所述弱氧化性液體包括：過氧化氫溶液、次氯酸鈉溶液、稀硝酸溶液和稀硫酸溶液。

6.根據權利要求2所述的調控方法，其特征在于，所述S3)的具體步驟包括：

S3.1)將S1.2)得到單層或少層的二維過渡金屬硫族化合物納米片的基底放置于S2)得到弱氧化性氣體或者液體環境中，靜置20-100min，

S3.2)將經過S3.1)處理后的基底放入去離子水中清洗2-3min，隨后放入異丙醇中清洗2-3min，完成后用氮氣吹干，得到具有穩定半金屬特性的二維過渡金屬硫族化合物納米片。

7.根據權利要求2所述的調控方法，其特征在于，所述S1)中還包括S1.3)在S1.2)得到含有單層或少層的二維過渡金屬硫族化合物納米片的基底上利用電子束曝光技術將所需調控的區域進行曝光處理，得到精確區域的穩定半金屬特性的二維過渡金屬硫族化合物納米片。

8.根據權利要求2所述的調控方法，其特征在于，所述S1)中還包括固定步驟：將S1.2)得到的含有單層或少層的二維過渡金屬硫族化合物納米片的基底進行退火加固處理。

9.根據權利要求8所述的調控方法，其特征在于，所述退火溫度為90-120℃。

10.根據權利要求1所述的調控方法，其特征在于，所述S2)中的所述弱氧化性液體放置于棕色玻璃器皿保存備用。