[發明專利]一種基于雙平衡混頻的TSM-PI三倍頻器在審
| 申請號： | 202011506148.4 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112615590A | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 康凱;司子恒;吳韻秋;趙晨曦;劉輝華;余益明 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03B19/14 | 分類號： | H03B19/14;H03D7/12 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 平衡 混頻 tsm pi 倍頻器 | ||
1.一種基于雙平衡混頻的TSM-PI三倍頻器，包括：輸入變壓器巴倫L1、二倍頻級、雙平衡混頻級、TSM-PI變壓器、輸出變壓器巴倫L2；其特征在于，
所述TSM-PI變壓器由初級線圈LD、次級線圈LS、峰化電感LP1、峰化電感LP2構成，初級線圈LD與次級線圈LS相互耦合，次級線圈LS中心抽頭接地；
所述二倍頻級由晶體管M1n與晶體管M1p構成，其中，晶體管M1n與晶體管M1p源極相連、并連接地，晶體管M1n與晶體管M1p漏極相連、并連接初級線圈LD，初級線圈LD的另一端連接電壓電源VDD；
所述雙平衡混頻級由晶體管M2n、晶體管M2p、晶體管M3n、晶體管M3p構成，其中，晶體管M2n與晶體管M2p源極相連、并連接次級線圈LS的一端，晶體管M3n與晶體管M3p源極相連、并連接次級線圈LS的另一端；晶體管M2p的漏極與晶體管M3n的漏極相連、并連接峰化電感LP1，峰化電感LP1的另一端連接輸出變壓器巴倫L2的初級線圈的一端；晶體管M3p的漏極與晶體管M2n的漏極相連、并連接峰化電感LP2，峰化電感LP2的另一端連接輸出變壓器巴倫L2的初級線圈的另一端；晶體管M2p與晶體管M3p柵極相連、并連接到晶體管M1p的柵極，晶體管M2n與晶體管M3n柵極相連、并連接到晶體管M1n的柵極；
所述輸入變壓器巴倫L1的初級線圈一端作為器件輸入端、另一端接地，次級線圈中心抽頭連接偏置電壓Vg，變壓器巴倫L1的次級線圈一端連接晶體管M1n的柵極、晶體管M2n的柵極以及晶體管M3n的柵極，另一端連接晶體管M1p的柵極、晶體管M2p以及晶體管M3p的柵極；
所述輸出變壓器巴倫L2的次級線圈一端作為器件輸出端、另一端接地。
2.按權利要求1所述基于雙平衡混頻的TSM-PI三倍頻器，其特征在于，所述三倍頻器還包括電感LG1、電感LG2、電容Ct、電容Cp1與電容Cp2；其中，
所述電感LG1、電感LG2、電容Ct與變壓器巴倫L1構成輸入阻抗匹配網絡，其中，所述電感LG1串接于輸入變壓器巴倫的次級線圈與晶體管M1n的柵極之間，所述電感LG2串接于輸入變壓器巴倫的次級線圈與晶體管M1p的柵極之間，所述電容Ct一端連接晶體管M1n的柵極、另一端連接晶體管M1p的柵極；
所述電容Cp1、電容Cp2與變壓器巴倫L2構成輸出阻抗匹配網絡，所述電容Cp1并接于輸出變壓器巴倫的初級線圈兩端，所述電容Cp2并接于輸出變壓器巴倫的次級線圈兩端。
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