[發(fā)明專利]評估在中間產(chǎn)物中形成的孔

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011505752.5
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113013047A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·克里斯;G·克列巴諾夫;D·S·拉索;E·弗萊施曼;S·杜夫德瓦尼-巴;A·沙米爾;E·薩默;J·杰瓦;D·A·羅杰斯;I·弗里德勒;A·A·B·西莫宏
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料以色列公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06T7/00;G11C5/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

一種評估系統(tǒng)，所述評估系統(tǒng)可包括成像器和處理電路。所述成像器可被配置為獲得通過蝕刻工藝形成的孔的電子圖像，所述孔暴露一組或多組層中的至少一個層，每組層包括電子產(chǎn)額彼此不同并屬于中間產(chǎn)物的層。所述處理電路可被配置為基于所述電子圖像來評估所述孔是否在所述中間產(chǎn)物的目標(biāo)層處終止。所述中間產(chǎn)物通過三維NAND存儲器單元的制造工藝的一個或多個制造階段來制造。所述孔可表現(xiàn)出高深寬比，并且具有納米級尺度的寬度。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2019年12月18日提交的US 16/719,856的優(yōu)先權(quán)。所述申請的公開內(nèi)容出于所有目的通過引用其整體并入本文。

背景技術(shù)

三維NAND存儲器單元包括成對的導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層。每個對可被視為一組層，這組層的電子產(chǎn)額彼此不同。因此，相對于從一對層的非導(dǎo)電層發(fā)射的電子，預(yù)期從所述一對層的導(dǎo)電層發(fā)射更多的電子。

這些對按階梯形態(tài)(formation)布置。每個階梯包括單個對。階梯形態(tài)使得能夠?qū)⒚總€對連接到豎直地形成的導(dǎo)體。

豎直地形成的導(dǎo)體是通過施加蝕刻工藝以形成孔來制造的。在蝕刻工藝之后，用至少一種導(dǎo)電材料填充孔。

可通過涉及多個制造階段的制造工藝來制造三維NAND存儲器單元。通過蝕刻工藝形成孔是制造階段中的一者。

每個制造階段(制造工藝的最終制造階段除外)的結(jié)果可被視為與三維NAND存儲器單元有關(guān)的中間產(chǎn)物。

應(yīng)監(jiān)測制造階段。在一個或多個制造階段中引入的故障可能極大地降低整個制造工藝的產(chǎn)率。

例如，在形成孔的蝕刻工藝中的故障可能減少在導(dǎo)電層與豎直地形成的導(dǎo)體之間的電耦接。但是另一個故障可能非所欲地將一個導(dǎo)電層電耦接到另一個導(dǎo)電層。

僅測量由孔暴露的一個或多個層的臨界尺寸本身無法提供關(guān)于蝕刻工藝的成功的可靠指示。

越來越需要提供準(zhǔn)確且高效的方式來評估由蝕刻工藝形成的孔。

發(fā)明內(nèi)容

可提供一種評估系統(tǒng)，所述評估系統(tǒng)可包括成像器和處理電路。所述成像器可被配置為獲得通過蝕刻工藝形成的孔的電子圖像，所述孔暴露一組或多組層中的至少一個層，每組層包括電子產(chǎn)額彼此不同并屬于中間產(chǎn)物的層。所述處理電路可被配置為基于所述電子圖像來評估所述孔是否在所述中間產(chǎn)物的目標(biāo)層處終止。所述中間產(chǎn)物可通過三維NAND存儲器單元的制造工藝的一個或多個制造階段來制造。所述孔可表現(xiàn)出高深寬比，并且具有納米級尺度的寬度。

附圖說明

在本說明書的結(jié)論部分中特別地指出并明確地要求保護(hù)被視為本公開內(nèi)容的實施例的主題。然而，就組織和操作方法兩者而言，本公開內(nèi)容的實施例連同其目標(biāo)、特征和優(yōu)點可在閱讀附圖時參考以下詳細(xì)描述來最佳地理解，在附圖中：

圖1是方法的示例；

圖2是在中間產(chǎn)物的一部分內(nèi)形成的孔的示例；

圖3是在中間產(chǎn)物的一部分內(nèi)形成的孔的示例；

圖4是在中間產(chǎn)物的一部分內(nèi)形成的孔的示例；

圖5是在中間產(chǎn)物的一部分內(nèi)形成的孔的示例；以及

圖6是評估系統(tǒng)和在中間產(chǎn)物的一部分內(nèi)形成的孔的示例。

具體實施方式

在以下詳細(xì)描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對本公開內(nèi)容的實施例的透徹理解。

然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本公開內(nèi)容的當(dāng)前實施例可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下進(jìn)行實踐。在其他情況下，并未詳細(xì)地描述所熟知的方法、工藝和部件，以免模糊本公開內(nèi)容的當(dāng)前實施例。