[發明專利]一種控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法

有效

• 申請號: 202011504628.7
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112658811B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 胡皓;尹聯民;戴一帆;關朝亮
• 申請（專利權）人: 湖南省產業技術協同創新研究院
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B13/00;B24B49/12;G06F17/15
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 黃麗

1.一種控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、測量目標工件的面形；

S2、確定目標工件表面的材料去除量，根據工件的面形情況選擇加工方式和與加工方式對應的去除函數R(x,y)，然后進行CCOS修形；若工件面形為翹邊，則選擇自轉拋光方式和預先確定的自轉拋光去除函數R₁(x,y)，否則選擇雙轉子拋光方式和預先確定的雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)；

S3、測量所述目標工件的面形，若不滿足要求，跳轉步驟S2以進行迭代加工，否則結束加工；

在步驟S2前，還包括確定所述與加工方式對應的去除函數R(x,y)的步驟，該步驟是通過調整工藝參數，使雙轉子拋光去除效率為自轉拋光去除效率的整數倍，來確定自轉拋光去除函數R₁(x,y)與雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)。

2.如權利要求1所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，步驟S2中，在采用自轉拋光方式或雙轉子拋光方式進行CCOS修形時，采用的工藝參數與確定對應拋光方式的去除函數的工藝參數相同。

3.如權利要求1所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，步驟S2中，在選擇加工方式和與加工方式對應的去除函數R(x,y)后，以及在對所述目標工件進行CCOS修形前，還包括修正所述去除函數R(x,y)，然后確定加工路徑并確定加工路徑上各數據點的加工駐留時間D(x,y)的步驟。

4.如權利要求1所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，所述自轉拋光去除函數R₁(x,y)和雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)的確定方法包括如下步驟：

選擇加工參數，在一塊與目標工件相同材質的實驗工件上進行雙轉子定點拋光，通過前后兩次相對應位置進行點對點相減，得到相應的去除形狀，獲得雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)和雙轉子拋光去除效率；然后通過調整工藝參數，進行自轉定點拋光，選出自轉拋光去除函數R₁(x,y)，以使所述雙轉子拋光去除效率為與該自轉拋光去除函數R₁(x,y)對應的自轉拋光去除效率的整數倍，從而獲得所需的雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)和自轉拋光去除函數R₁(x,y)。

5.如權利要求4所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，在確定所述自轉拋光去除函數R₁(x,y)和雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)的過程中，還包括進行驗證所述自轉拋光去除函數R₁(x,y)和雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)穩定性的定點拋光實驗；

驗證所述自轉拋光去除函數R₁(x,y)穩定性的自轉定點拋光實驗采用的工藝參數與獲取該拋光去除函數采用的工藝參數相同；

驗證所述雙轉子拋光去除函數R₂(x,y)穩定性的雙轉子定點拋光實驗采用的工藝參數與獲取該拋光去除函數采用的工藝參數相同。

6.如權利要求3所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，修正所述去除函數包括：確定拋光盤邊緣到工件邊緣的距離E，根據E確定目標工件表面的實際壓力分布函數P(x,y,t)，并采用P(x,y,t)對所述去除函數R(x,y)中的壓力進行校正，來確定精確的去除函數。

7.如權利要求6所述的控制CCOS修形邊緣誤差效應的方法，其特征在于，所述拋光盤邊緣到目標工件邊緣E的距離的取值為E≤1/3d，其中d為目標工件的直徑。